中国粉体网讯 根据《中华人民共和国对外贸易法》和《中华人民共和国技术进出口管理条例》，现公布《中国禁止出口限制出口技术目录》，自公布之日起实施，商务部、科技部公告2020年第38号（《〈中国禁止出口限制出口技术目录〉调整内容》）同时废止。属于军民两用技术的，纳入出口管制管理。
中国禁止出口限制出口技术目录涉及造纸和纸制品业、医药制造业、非金属矿物制品业、有色金属冶炼和压延加工业、金属制品业等多个行业领域。其中对于非金属矿物制品业的禁止、限制出口技术要求如下：
禁止出口部分
编号：083001J
技术名称：非晶无机非金属材料生产技术
控制要点：激光技术用大功率、大尺寸钕玻璃制备工艺技术
编号：083002J
技术名称：低维无机非金属材料生产技术
控制要点：具有下列特征之一的硬质低密度、粘结着碳纤维或非纤维状碳的绝热材料生产技术
1.可在2273K（2000℃）以上高温条件下使用
2.密度在100～300kg／m3之间
3.压缩强度在0.1～1.0MPa之间
4.挠曲强度≥1.0MPa
5.碳含量占总固体的99.9%以上
限制出口部分
编号：083001X
技术名称：无机非金属材料生产技术
控制要点：
1.非金属纤维无石棉增强抗磨材料制备技术
（1）非金属纤维无石棉增强材料的配方和加工工艺
（2）抗磨剂生产技术
2.连续SiC（碳化硅）纤维生产技术
（1）聚碳硅烷分子量及分子量分布控制技术
（2）有机硅聚合物连续纺丝技术
（3）二步不熔化处理技术
（4）聚碳硅烷裂解合成工艺
3.具有下列特征的碳纤维制品加工技术
（1）细编穿刺织物技术
（2）三向锥体织物技术
4.氮化硼（BN）纤维防潮涂层制备技术
5.氧化锆纤维隔热材料制备技术
6.化学气相沉积法（CVD）制备碳化硅（SiC）纤维技术
编号：083002X
技术名称：人工晶体生长与加工技术
控制要点：
1.二氧化碲（TeO2）及钼酸铝〔Al2(MoO4)3〕单晶生长工艺及基片的精加工技术
2.超长（＞250mm）铌酸锂晶片的制作方法
（1）长度＞280mm，直径＞40mm铌酸锂晶的生长技术
（2）长度＞250mm，铌酸锂单晶片精加工技术
3.长度＞180mm的硅酸铋（BSO）、锗酸铋（BGO）单晶生长工艺及晶片加工技术
4.75-3水溶性光致抗蚀掩孔干膜制备工艺
5.制造自泵浦相位共轭器（SPPCM）用钨青铜光析变单晶生长工艺
6.铌酸钾（KNbO3）晶体的原料处理技术和生长工艺
7.磷酸氧钛钾（KTP）晶体生长控制技术
8.具有下列性能的抗辐射人造水晶生长工艺
（1）品质因数（Q）值≥3×106
（2）包裹体级别不低于IECI（国际电工技术委员会）的A级
（3）铝（Al）含量≤1ppm
（4）腐蚀隧道密度≤10条/cm2
9.稀土－铁（Tb-Dy-Fe系）超磁致伸缩单晶材料的制备技术
（1）提拉法无污染磁悬浮冷坩埚晶体生长工艺
（2）单晶成份及结构控制技术
10.四硼酸锂、三硼酸锂（LBO）晶体的生长工艺
11.掺钕硼酸铝钇（NYAB）晶体的生长工艺
12.钛酸钡锶（SBT）晶体的生长工艺
13.偏硼酸钡（BBO）晶体的生长工艺
14.硼铍酸锶（SBBO）晶体的生长工艺
15.KBBF晶体生长与棱镜耦合器件加工技术
16.硅酸钇镥（LYSO）晶体生长工艺
17.溴化镧（LaBr3:Ce）晶体生长工艺
编号：083003X
技术名称：聚合物基复合材料生产技术
控制要点：
1.用于航天器壳体的纤维增强树脂基复合材料生产技术
2.用于高压容器（压力≥25MPa）的纤维增强树脂基耐烧蚀、隔热、防热、复合材料生产技术
3.容重1.5～1.7g／cm2，烧蚀率≤0.22mm／s的纤维增强树脂基耐烧蚀复合材料生产技术
4.热熔法工艺中树脂基体配方
（中国粉体网编辑整理/黑金）
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