中国粉体网讯 近日，安徽长飞先进半导体股份有限公司召开IPO项目启动会，正式进入资本市场筹备阶段。据悉，长飞先进是长飞光纤投资布局的第三代半导体企业，2023年A轮增资后不再纳入长飞光纤合并报表，目前按联营企业核算。
当前，在人工智能、新能源汽车、移动通信等战略性新兴产业的强力驱动下，全球化合物半导体产业进入快速发展期，其中碳化硅作为第三代半导体核心材料，凭借远超传统硅材料的性能优势，成为产业竞争的核心焦点。与传统硅材料相比，碳化硅制成的芯片具备耐高压、耐高温、低功耗的突出特性，能够完美适配新能源汽车主驱、储能、充电桩等高端场景需求，已然成为新能源汽车行业的“核心刚需”，更是全球各国争相竞逐的产业新赛道。
来源：长飞先进
据悉，长飞先进是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造的企业，具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。公司拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，可提供从工业级到车规级的SiC SBD、MOSFET全系列产品，广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。
早在2023年，长飞先进就斩获超38亿元A轮融资，吸引了包括光谷金控、浙江国改基金、中金资本、海通并购基金、国元金控等29家投资机构，阵容堪称豪华。其中，总部位于武汉的光谷金控作为出资最高的新股东，其战略意图十分明确，即通过支持长飞先进，在本地打造碳化硅芯片制造龙头，完善产业链。
今年2月，长飞先进完成超10亿元A+轮融资，由江城基金、长江产业集团领投，光谷金控、奇瑞旗下芯车智联基金等参投，资金主要用于碳化硅功率半导体全产业链布局。
公司目前在芜湖、武汉布局碳化硅生产基地，其中武汉基地位于东湖高新区光谷科学岛核心区域，占地近500亩，致力于建设全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂，其中晶圆厂规划建设年产36万片6/8英寸SiC MOSFET晶圆，外延厂规划建设年产36万片6/8英寸SiC MOSFET外延；芜湖基地位于芜湖市高新区，占地面积67亩，打造碳化硅芯片研发与应用的关键制造基地，晶圆厂规划建设年产6万片6英寸SiC MOSFET晶圆。目前仍处于产能爬坡阶段。
来源：科创板日报、长飞先进官网
（中国粉体网编辑整理/初末）
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