中国粉体网讯 近日，无锡利普思半导体有限公司扬州生产基地封顶仪式在扬州市江都区圆满举行。
利普思扬州车规级第三代功率半导体模块项目总投资10亿元，一期投资2亿元，达产后预计年产能150万只SiC模块，成为国内碳化硅模块领域中的一支重要力量。此次封顶，也意味着利普思的发展驶入加速快车道，过去一年企业在AIDC固态变压器、固态断路器、智能电网、储能、新能源汽车等核心赛道的深度布局，正逐步转化为实实在在的战略成果。
来源：利普思
据悉，利普思扬州生产基地于今年3月29日正式开工，现主体工程已完成封顶，预计2027年4月完成通线。该生产基地占地32亩，建筑面积约3.2万平方米，建设包含封装测试工厂以及办公大楼、检验中心、研发及测试中心、可靠性和失效分析实验室，覆盖从研发到生产制造的全链条。
项目首期重点新建3条全自动化车规级管理体系SiC模块封装测试产线。产线将引进全自动贴片机、全自动银烧结机、真空焊接炉、全自动端子焊、印刷机、涂覆机、灌封机和注塑机等进口及国产设备百余台，集成MES、EAP等生产要素管理系统，并积极引入AI辅助管理，实现生产过程的自动化与信息化管理，打造智能化工厂。
封顶后，项目将转入全要素智能化SiC模块产线建设工作。利普思将协同建设方与设备供应商，按计划推进各节点，力争早日实现投产运营。扬州基地投用后，利普思的车规级SiC模块产能将得到跨越式提升，为客户提供更高质量、更大规模、更稳定可靠的交付保障。
来源：利普思
碳化硅功率器件具备耐高压、开关速度快、导通损耗低等突出性能优势，现已逐步成为电力变换系统的核心元器件。在全球“双碳”目标驱动下，新能源汽车、新型电力系统产业快速崛起，碳化硅器件降本增效价值凸显，在新能源汽车、可再生能源、储能、数据中心、轨道交通、智能电网等领域的应用场景持续拓宽，市场需求不断攀升，是第三代半导体产业重点发展方向。
据了解，无锡利普思半导体有限公司，汇集了海内外经验丰富的专业人才，包括晶圆工艺及器件设计、模块封装设计、产品应用、市场推广和产品运营等方面。主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块。产品应用于新能源汽车、智能电网、可再生能源、工业电机驱动、医疗器械、电源等场景和领域；公司总部位于中国无锡，并在日本设有研发中心。
公司使用创新的封装材料以及加工技术，致力于碳化硅等功率半导体的研发、生产与销售，提供完整的模块应用解决方案。满足高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体模块需求。
来源：利普思
（中国粉体网编辑整理/初末）
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