【原创】新图景，新趋势！第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会成功召开！

2026-05-28
来源：中国粉体网空青

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[导读] 中国粉体网主办的“第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会”在合肥·新站利港喜来登酒店隆重召开！

中国粉体网讯 2026年5月28日，由中国粉体网主办的“第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会”在合肥·新站利港喜来登酒店隆重召开！本届会议汇聚碳化硅产业链各个环节的专家学者、技术人员、企业界代表共计220人，围绕着碳化硅单晶生长技术发展、晶体加工技术进展及设备应用、碳化硅产业发展趋势及原料制备技术等方面进行了深入探讨交流，共同展望了行业未来发展。

©Charlie Cao/Cnpowder.com.cn

签到现场

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会议现场

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中国粉体网会展事业部总经理孔德宇先生主持开幕式

会议精彩报告环节

刘晓星分析了碳化硅衬底市场的发展现状与趋势，指出其在新能源、光储、消费电子、射频电子、AR眼镜、先进封装等领域的应用前景，并对碳化硅衬底尺寸发展、价格变化、衬底参数等方面进行深入探讨，报告中还提到了复合衬底（多晶+单晶）新产品具有很大发展潜力，随后介绍了烁科晶体的碳化硅晶体研发进展，最后对未来碳化硅衬底的发展做了展望。

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山西烁科晶体有限公司市场技术刘晓星作《碳化硅衬底市场发展现状与趋势分析》

高纯碳化硅粉体是制备碳化硅单晶的核心原料，其纯度直接决定单晶杂质含量与电学性能。李季介绍了碳化硅的功能特点，阐述了碳化硅粉体的制备技术，分享了晶彩科技高纯碳化硅粉体的制备方法（聚合物热解法和优化固相烧结法），并提出晶彩科技粉体制备技术具备低成本生产、自主开发、单线产能大、产品品质高等四大优势。

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绍兴晶彩科技有限公司联合创始人李季作《超高纯碳化硅粉体制备方法/性能及在半导体、结构陶瓷、热管理等高端领域应用》报告

雷云针对液相法生长SiC单晶技术中如何提高硅熔体中C溶解度的技术瓶颈问题，分享了其团队采用稀土作为C的助溶剂来实现液相法生长SiC单晶的“降温增速”的研究成果。团队首次将该法用于快速合成高纯SiC多晶，低温反应获得纯度>99.995%的多晶锭，残余溶液及坩埚可重复使用，稀土残留低于检测限。

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四川大学研究员雷云作《稀土助溶剂法低温快速生长3C-SiC和4H-SiC单晶以及晶型调控和溶剂夹杂抑制》报告

精准识别、有效控制并减少碳化硅晶体生长缺陷，是提升碳化硅半导体器件良率与核心性能的核心前提。姚磊介绍了X射线技术，以及其在晶圆检测方面的优势及特点，针对实现晶圆缺陷检测无损伤的难题，其分享了公司国产XRT设备的技术突破、应用价值及产业赋能路径。

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奥龙集团-深圳芯基石科技有限责任公司总经理姚磊作《全国产“X射线形貌仪XRT”助力碳化硅晶圆产业腾飞》报告

PVT法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。李家宏介绍了PVT法碳化硅长晶设备中电阻炉技术上遇到的问题，阐述了该方法所需要的工艺参数，并分享了浩晶真空的解决方案及产业发展情况。

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浩晶真空半导体设备有限公司总经理李家宏作《PVT法碳化硅晶体生长电阻式石墨加热核心技术探讨暨解決方案》

在半导体制造中，晶圆的边缘轮廓是决定晶片品质和整体产率的重要因素。陈朝方介绍了目前市面上的晶圆边缘轮廓仪存在的不足，结合公司在精密光学检测领域的深厚积累，深入探讨晶圆衬底表面缺陷识别、光学检测精度控制及产业化应用实践。

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宁波兰辰光电有限公司总经理兼技术总监俞宝清（陈朝方代）作《晶圆衬底精密光学检测技术与应用》报告

针对传统物理气相传输法生长碳化硅单晶时出现的边缘生长过快、易产生杂晶与热应力等问题。张福生分享了一种“近自由态生长方法”，为获得高质量、大尺寸碳化硅单晶，降低生产成本提供了新思路。报告中提到，该方法成功制备出了8英寸碳化硅单晶，其晶片应力分布均匀，位错密度可低于500/cm²，X射线衍射摇摆曲线半高宽平均值低至14弧秒，晶体质量显著提升。

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齐鲁工业大学（山东省科学院）副教授张福生作《大尺寸碳化硅单晶近自由态生长方法研究》报告

尹韶辉分析了SiC晶圆加工面临的难题，介绍了晶圆片减薄的加工工艺和设备，阐述了TAIKO磨削与传统磨削之间的不同，对比了国内外企业晶圆减薄砂轮工具的差距。对于半导体晶圆加工应用金刚石工具的现状，介绍了SiC晶圆减薄砂轮的关键制备技术与工程应用进展。重点阐述微纳金刚石磨料调控、多孔多尺度砂轮显微结构设计、高强度微晶增韧陶瓷结合剂及超细粒度砂轮制备等核心技术。

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湖南大学/江苏优普纳科技有限公司教授/执行董事尹韶辉作《SiC晶圆减薄砂轮制备及应用》报告

胡中伟分享了其团队针对单晶碳化硅加工效率低、损伤大的难题，利用纳米压划与分子动力学仿真揭示其磨粒作用下的形变及损伤机理；开发钎焊线锯及变往复周期切割工艺，提升切面均匀性；揭示摩擦诱导固相反应与机械去除协同机制，研制活性金属基磨削工具，实现高去除率近无损伤背减薄。最终形成大尺寸碳化硅高效高质加工工艺，最后阐述了其团队搭建的碳化硅平坦化加工智能工艺系统。