中国粉体网讯 2026年5月28日，由中国粉体网主办的“第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会”在合肥·新站利港喜来登酒店成功召开，会议期间，中国粉体网邀请到了多位业内专家、学者，优秀企业家代表做客“对话”栏目，就碳化硅单晶生长技术发展、晶体加工技术进展及设备应用、碳化硅产业发展趋势及原料制备技术进行了访谈交流。本期为您分享的是宁波兰辰光电有限公司总经理陈朝方的专访。
中国粉体网：首先请您介绍一下宁波兰辰光电有限公司，公司的主要产品有哪些？
陈总：宁波兰辰光电有限公司成立于2016年，是高新技术企业、专业自动化检测设备提供商。公司聚焦激光测量、机器视觉、数据采集、伺服控制等技术，具备专用设备研发、设计、生产、安装调试全链条能力，获评创新型中小企业、科技型中小企业，为区绿色化改造实施企业、市制造业数字化二级企业，并通过四级安全认证。兰辰光电依托浙江大学，拥有高水平技术团队，深耕半导体、3C、电声等领域，客户资源稳定。
公司科研实力突出，获评宁波市智团项目、海曙区非标测量设备工程技术中心，先后参与科技部重点专项、“科创甬江2035”研发计划并获奖立项。
2022年进军半导体领域，自研“半导体晶圆轮廓检测系统”；2024年核心产品“LC-JY边缘轮廓仪”获评省级新产品、省首台（套）装备，多项功能国内首创，攻克高精度测量“卡脖子”技术，实现进口替代。
此外，兰辰光电的主要产品有晶圆边缘轮廓仪、激光轮廓测量系统、3D线激光检测系统、双激光厚度检测系统、双激光大面阵厚度在线测量系统、自动弹波变位测量系统、自动天平测量系统、机器视觉筛选机等，晶圆圆度、厚度测量仪在研推进。
中国粉体网：陈总，在半导体晶圆生产中，边缘轮廓与缺陷检测对良率和器件可靠性的重要性体现在哪里？
陈总：晶圆边缘检测是半导体量产的核心关键工序。晶圆边缘是良率损耗的高发区域，不良率远高于晶圆中心区域。
首先，它直接决定生产良率，边缘崩边、划痕、变形、颗粒污染等缺陷，会造成光刻、刻蚀等后续工艺异常，引发整片甚至批量晶圆报废，前端精准检测能有效拦截缺陷、降低损耗、提升良率。
其次，直接影响芯片长期可靠性，边缘隐性缺陷虽不会立即报废，但会在封装和长期使用中，引发膜层脱落、键合空洞等问题，导致芯片后期失效。
尤其当下先进封装、混合键合工艺普及，晶圆边缘的完整性、平整度，已经是高端芯片稳定运行的重要保障，同时也能有效规避自动化产线取片故障、晶圆碎片等量产问题。
中国粉体网：目前行业主流的晶圆检测设备和工艺，存在哪些核心痛点？
陈总：当前行业主流设备存在明显量产痛点。
一是动态精度稳定性不足，易受晶圆偏心、设备误差影响，换型后数据偏差大，难以适配先进制程精度要求；
二是成像效果有限、误判率高，传统设备景深不足，无法同步看清轮廓、截面与微观缺陷，叠加表面反光干扰，漏检误检频发，人工复核成本高；
三是量产适配性弱，高精度设备检测节拍慢，多尺寸、多材质晶圆换型繁琐，无法匹配高节拍量产需求；
四是智能化程度偏低，仅能完成基础检测，缺乏智能缺陷分析与分类能力，检测数据形成孤岛，无法反向优化生产工艺。
中国粉体网：贵司晶圆检测装备，在效率、精度、成像、智能化上有哪些关键突破？
陈总：效率上，75秒内完成单片全项检测，比进口设备快15%以上，支持全自动上下料、AGV对接，适配6–12寸规格晶圆，半自动的适配4-12寸规格晶圆。精度上，尺寸测量重复性±2μm、角度测量重复精度±0.1°。成像上，采用高分辨率光学与动态边缘算法，360°全域清晰成像，精准识别Edge、Notch、Flat细微特征。智能化上，全流程无人化运行，开放参数自定义，支持SECS/GEM与数据追溯，核心软硬件国产化，实现高端设备自主可控。
中国粉体网：您认为国内晶圆检测设备想要实现全面自主可控，还需突破哪些瓶颈？
陈总：目前国产晶圆检测设备已实现中端市场替代，但全面自主可控仍有三大瓶颈待突破。
第一，核心基础部件自主化不足，高端光学镜头、精密运动控制器、光电探测器等核心部件仍依赖进口，是基础攻坚重点。
第二，设备长期稳定性与高端制程适配性欠缺，国产设备长期不间断运行的稳定性、环境适应性仍不及进口设备，先进制程高端检测领域仍存在技术空白。
第三，行业生态与算法数据积累薄弱，海外巨头拥有数十年缺陷数据库与工艺模型积累，国内数据沉淀不足、软件生态不完善，叠加设备验证周期长、产业链协同不足，需要行业、资本、政策协同发力，完善产业闭环，真正实现全维度自主可控。
（中国粉体网编辑整理/初末）
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