中国粉体网讯 近日，善仁（浙江）新材料科技有限公司发布AS9378X5系列无压烧结银膏最新实测数据，烧结体本征热导率达到326.75W/m·K，刷新国内无压烧结银领域性能纪录，标志着国产高端烧结银材料核心性能跻身国际第一梯队，可直接替代进口同类型产品。
本次测试采用TPS瞬态平面热源法（Hot Disk）标准方法，通过50mm×50mm紫铜衬底三明治结构完成实测验证。数据显示，除本征热导率突破320W/m·K大关外，材料热扩散系数达69.1mm²/s，烧结体孔隙率控制在3%以内，致密度接近纯银块体水平。力学性能方面，烧结接头剪切强度超过35MPa，可耐受-55℃~175℃宽温域热循环冲击，满足车规级功率器件的高可靠性要求。浆料工艺适配性同样表现优异，连续印刷8小时粘度波动低于8%，印刷线条边缘整齐、厚度均匀，适配大规模量产产线的稳定生产需求。
作为面向第三代半导体的核心封装材料，AS9378X5系列主打无压烧结特性。不同于传统有压烧结银膏需要借助外部压力才能实现致密烧结，该产品在标准回流炉工艺条件下即可完成致密化烧结，无需额外加压设备，大幅降低封装产线投入与工艺门槛。无压工艺尤其适配大尺寸SiC功率芯片、IGBT模块的低应力封装场景，可有效避免加压过程对薄型芯片、陶瓷基板造成的应力损伤，提升器件良率与长期可靠性。
目前该系列产品已通过IATF16949汽车质量管理体系认证，具备车规级量产供货能力，已批量服务长三角多家功率半导体封装企业，终端应用覆盖新能源汽车电驱控制器、光伏储能逆变器、5G射频功放模块、工业电源等高端领域。在SiC功率器件向高功率密度、高温工作点快速迭代的背景下，烧结银层的导热能力直接决定芯片散热效率与使用寿命，高导热无压烧结银已成为功率封装的标配核心材料。
此前高端无压烧结银材料长期被海外厂商垄断，价格高企且交付周期长，制约国内功率半导体产业的成本控制与自主发展。善仁新材本次性能突破，打破了海外厂商在高端烧结银领域的技术壁垒，为国内功率半导体产业提供了自主可控的核心封装材料方案。随着新能源汽车与AI算力产业双轮驱动，功率半导体市场持续高速增长，国产烧结银材料的技术升级与产能扩张，将持续助力产业链降本增效，推动第三代半导体封装材料向国产化、高端化加速迈进。
参考来源：
善仁新材官网
（中国粉体网编辑整理/留白）
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