中国粉体网讯 当摩尔定律逼近物理极限，单纯依靠晶体管微缩提升芯片性能愈发艰难，先进封装技术成为延续半导体性能跃升的关键路径。它跳出单一芯片微缩框架，通过2.5D/3D堆叠、Chiplet集成等创新，将不同功能芯片高效互连，实现系统级集成。
玻璃通孔（TGV）金属化是先进封装领域的关键技术之一，它通过在玻璃基板上形成垂直电气互连来实现3D集成。该技术因其高频电学特性优良、工艺简单、成本较低以及可调的热膨胀系数等优势而受到广泛关注。
当前TGV金属化面临的技术难点主要包括金属化过程中铜-玻璃界面结合力问题以及高深径比玻璃基板通孔无缺陷的电镀填充等。上海天承化学有限公司通过在玻璃表面涂敷一层金属氧化薄膜后进行化学沉铜，解决了铜-玻璃界面结合力弱等问题，同时通过脉冲电镀搭桥结合直流盲孔超填充两步法实现玻璃通孔的无空隙填充，为TGV提供了完整的金属化解决方案。
为强化行业信息交流，中国粉体网将于2025年7月30日在无锡举办2025玻璃基板与TGV技术大会。届时，上海天承化学有限公司首席技术官韩佐晏将作题为《玻璃基板通孔金属化解决方案》的报告，分享其关于TGV金属化的关键研究。
专家简介：
韩佐晏，天承科技CTO，北京大学应用化学专业学士，香港中文大学化学专业博士。曾先后在陶氏化学电子材料亚洲研发中心，杜邦中国研发中心，华为2012实验室从事电子电镀相关技术与产品的研发和应用研究。
参考来源:
刘明迪.玻璃基板化学镀铜方法研究
(中国粉体网编辑整理/月明)
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