中国粉体网讯 在半导体材料革命的浪潮中，碳化硅（SiC）以其耐高压、高频、高温的卓越性能，正加速渗透各个领域。近年来，我国积极发展碳化硅产业，在8英寸、12英寸取得了喜人成绩，在国际市场备受认可。
首次中国企业获奖！天岳先进获半导体行业国际大奖
近日，第31届半导体年度奖（Semiconductor of the Year 2025）颁奖典礼在日本东京隆重举行。中国半导体材料领域的领军企业天岳先进凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，力压日本顶尖半导体材料巨头三井化学和三菱材料等强劲对手，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”类金奖。
据了解，这不仅是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎，更是该奖项历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术。
半导体年度奖由日本最具公信力的半导体产业专业媒体《电子器件产业新闻》主办，旨在从全球范围内表彰在设备、器件及材料三大领域的杰出技术创新，其奖项以严苛的评选标准和极高的行业权威性著称。在历届获奖企业名单中，英伟达、索尼、美光等国际产业巨头，以及东芝、住友电工、昭和电工等日企，是这份“黄金榜单”中的常客。
天岳先进此次历史性获奖的核心驱动力，源于其长期聚焦于碳化硅衬底材料技术，并在此领域实现了持续的创新突破。天岳先进长期深耕衬底材料研发，其在材料晶体生长、缺陷控制、加工工艺等核心环节取得的一系列突破性进展，不仅攻克了大尺寸化等世界级难题，更在材料性能上达到了国际领先水平，成为全球半导体材料领域的创新标杆。
超芯星的碳化硅长晶技术获国际金奖！
近日，在第50届日内瓦国际发明展上，江苏超芯星半导体有限公司（简称：超芯星）凭借自主研发的碳化硅长晶技术斩获金奖！
超芯星是国内领先的第三代半导体碳化硅材料全产业链企业，专注于碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产。自公司落地南京后，超芯星研发团队不断攻克难关，先后突破了低应力、低缺陷晶体生长及低损耗晶片加工技术等多项关键技术难点，形成了一整套具有自主知识产权的工艺，覆盖设备、粉料、晶体生长晶体加工及晶片检测全流程。
目前，碳化硅长晶技术主要有液相法、物理气相法（PVT）和高温化学气相沉积法（HTCVD）三类，每种方法都有其独特的工艺步骤、优点和挑战。其中HTCVD法具备连续性供料的先进特性，能够确保生产过程的稳定与高效；所产出晶体的纯度极高，极大地提升了碳化硅材料的性能与质量；同时，其生长速度之快也为大规模产业化应用铺就了坚实道路。
而据超芯星半导体创始人、CEO刘欣宇介绍，如今超芯星已经成为全世界‘唯三’、全国唯一掌握HTCVD创新技术的创业公司，也是国际少数几家能够批量供应碳化硅衬底片的企业之一。
来源：天岳先进、南京日报
（中国粉体网编辑整理/空青）
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