中国粉体网讯 据晶越半导体官微宣布，公司继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，在7月21日研制出高品质12英寸SiC晶锭，标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。也标志着晶越半导体成为国内少数掌握大尺寸碳化硅晶体生长核心技术的企业之一。
浙江晶越半导体有限公司成立于2020年7月，位于浙江省绍兴嵊州市经济开发区，主要聚焦于6-8英寸导电型碳化硅衬底材料的研发、生产与销售。
▶2020年6月，当地市经开区与溢起投资合伙企业、高冰博士团队在上海正式签署“晶越碳化硅晶圆项目”三方投资协议书。该项目共分三期，总投资达100亿元，一期投产后将具备月产1500片碳化硅晶圆能力；
▶2021年7月，浙江绍兴市生态环境局受理晶越碳化硅项目环评文件。据介绍，该项目一期拟投资约1.35亿元，年产1.2万片6英寸SiC晶片。
▶2022年6月，晶越半导体完成完成B轮融资，领投方为红杉资本等，此轮融资估值达1.35亿元。
当前，12英寸碳化硅晶圆的研发突破与规模化生产能力，已成为评估第三代半导体产业综合竞争力的核心指标，这一趋势正驱动着众多行业厂商加速布局该领域。目前国内已成功研制12英寸碳化硅衬底的主要企业：
天岳先进
2025年3月25日在上海举办的亚洲化合物半导体大会上，天岳先进携全球首发的全系列12英寸碳化硅衬底产品登场，包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底。其中，12英寸高纯碳化硅衬底、12英寸P型碳化硅衬底为全球首展。
在产品方面，12英寸产品，在产品面积上较8英寸持续扩大，单片晶圆芯片产出量跃升2.5倍，尺寸扩大有效降低单位成本，是行业发展的必然趋势。应用领域方面，天岳先进表示碳化硅产品的技术裂变也将助力新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G基站等多种高压应用场景，催生AR眼镜、卫星通信及低空经济等多重新兴领域蓬勃发展，助力万物互联时代的算力革命。
烁科晶体
2024年12月26日，山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。这是全球首次实现300 mm半绝缘SiC晶圆，标志着超大尺寸SiC晶体生长和缺陷控制取得突破。
目前该公司12英寸衬底仍处于实验室样品阶段，但这一里程碑式成果表明其在大直径晶体扩径工艺、低缺陷密度生长等方面达到国际先进水平，为后续产业化奠定了基础。
天科合达
天科合达在上海 Semicon China 2025展会上举行新品发布仪式，正式推出了12英寸“热沉级”碳化硅衬底（heat sink级衬底）等多款创新产品。目前，12英寸产品处于研发/试产阶段，公司计划2025年下半年推出12英寸光学级SiC衬底产品，并于2026年实现8英寸光学级衬底的小批量量产，用于AR光波导等新兴领域。
同光半导体
同光半导体在12英寸产品方面尚在研发验证阶段，SEMICON China展会上展示了直径12英寸的导电型SiC晶锭（高度20+ mm）和10英寸导电型衬底样品。此前2023年已拉制出8英寸导电型晶体样品，8英寸衬底技术攻关取得进展。
目前，同光股份已建成从原料合成、晶体生长、衬底加工，到晶片检测国际先进，完整的碳化衬底生产线。同光股份下设三个工厂：保定同光晶体工厂，涞源工厂，保定同光新材料工厂，总计规划70万片产能，其中保定同光新材料工厂只启用了一期，总计有超过100万片产能的空间。
晶盛机电
2025年5月12日，晶盛机电子公司浙江晶瑞Super SiC宣布，成功实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长，首颗晶体直径达309mm且质量完好。
浙江晶瑞SuperSiC基于自主研发的SiC单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克12英寸SiC晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的重要突破。当前12英寸晶体尚处研发试制阶段，但该突破将有助于降低未来晶圆制造成本，推动国产SiC材料在功率电子等领域的规模化应用。
南砂晶圆
2025年5月8日，南砂晶圆在重庆举行的行业大会上首次公开展示了12英寸导电型碳化硅衬底实物，成功攻克大尺寸碳化硅衬底制备难题。
同时，南砂晶圆还成功实现了近“零螺位错”密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备。12英寸衬底的成功展示标志公司研发步入新的台阶，虽然仍属样品阶段，但为后续大尺寸衬底的产业化奠定了坚实基础。
来源：晶越半导体
