利普思半导体获近亿元A轮融资,布局高端领域碳化硅SiC功率器件


来源:36氪

[导读]  近日,高性能SiC(碳化硅)模块厂家利普思半导体已完成近亿元人民币A轮融资,由德联资本领投,沃衍资本、飞图创投跟投。

中国粉体网讯  近日,高性能SiC(碳化硅)模块厂家利普思半导体已完成近亿元人民币A轮融资,由德联资本领投,沃衍资本、飞图创投跟投。该轮资金将主要用于公司无锡与日本研发设备投入,以及研发投入、管理运营和市场推广。


利普思成立于2019年,专注高性能SiC与IGBT功率模块的研发、生产和销售,拥有创新的封装材料和封装技术,为新能源汽车、氢能车、光伏等行业应用的控制器提供小型化、轻量化和高效化的功率模块解决方案。目前,公司已经申请专利26项,其中发明专利13项。



功率半导体作为电能转换的核心器件,广泛应用于新能源汽车、轨道交通、工业控制、光伏和风电等领域,市场空间巨大。据市场研究机构IHS数据,今年我国功率半导体市场规模有望达159亿美元(约1015亿人民币),到2024年,全球功率半导体市场规模预计将超过500亿美元(约3193亿人民币)。


尽管我国功率半导体市场占据了全球超1/3的规模,但面向高端领域的功率器件国产率极低,高端国产功率模块的可靠性不足也导致市占率较低,90%以上的中高端MOSFET及IGBT,SiC器件仍然依赖进口。


其难点在于,一是高端功率器件主要应用在新能源汽车、风力发电、光伏等领域,这些领域对功率模组的电气设计、散热、机械,可靠性,工艺等方面都有着高要求,国外如英飞凌、三菱等国际大厂早已积累了成熟技术和竞争优势,但国内的IGBT与SiC模组设计与制造工艺相对落后,处于仍追赶阶段。


二是芯片设计方面,小功率芯片通常采用单管电流设计,而大功率芯片需要集成到模组中,通过更多芯片并联达到大功率电流的效果,尤其是汽车应用中,国内相关模组企业同样与国际水平存在差距。


目前,利普思的核心产品覆盖SiC和IGBT两个品类,其中应用于氢能商用车和光伏的SiC,以及应用在充电桩、工业变频器、商用车等方面的IGBT已实现批量生产。值得注意的是,尽管SiC作为第三代功率半导体,在性能效率、可靠性和小型轻量化方面具备优势,但SiC对IGBT的替代主要集中在高端应用市场,在低端市场则是两者共存的格局。


(中国粉体网编辑整理/山川)

注:图片非商业用途,存在侵权告知删除


推荐2
相关新闻:
网友评论:
0条评论/0人参与 网友评论

版权与免责声明:

① 凡本网注明"来源:中国粉体网"的所有作品,版权均属于中国粉体网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:中国粉体网"。违者本网将追究相关法律责任。

② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

粉体大数据研究
  • 即时排行
  • 周排行
  • 月度排行
图片新闻