中国粉体网讯 王占国院士于1938年12月29日出生于中国河南省镇平县，是世界著名的半导体材料物理学家。王院士1962年毕业于南开大学物理系，并于同年到中国科学院半导体研究所工作至今。
王院士在半导体材料和材料物理领域取得了杰出的成就。在早期职业生涯中，他致力于人造卫星用硅太阳能电池辐照效应以及和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照效应研究，为中国的两弹一星事业做出了贡献。
1980年至1983年，王院士赴瑞典隆德大学固体物理系，从事深能级物理和光谱物理研究。他和合作者一起提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷不同能态新方法，从而解决了长期处于争论中的硅中金受主及金施主能级以及砷化镓中A、B能级性质的问题。
此外，王院士还建立了一种混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型。他协助林兰英院士首次在太空环境成功生长了砷化镓单晶，1993年提出了砷化镓电学补偿五能级模型和电学补偿新判据，不仅解释了砷化镓的电导率问题，而且为提高砷化镓晶体质量指出了方向。
从1993年开始，王院士及其团队致力于半导体低维结构的生长和量子器件制备，研制成功量子级联激光器、量子点激光器、量子点超辐射发光管等。他后来提出的柔性衬底的概念为发展大晶格失配的异质外延指出了新的方向。
王占国院士获得了许多国家级和中国科学院的奖项，并于1995年当选为中国科学院院士。他曾担任中国科学院信息科学部副主任、第七届中国科学院学部主席团成员、中国科学院半导体研究所副所长和中国材料学会副理事长等职务，先后培养了一百多位硕士、博士和博士后。
王占国院士在接受记者采访时曾指出，基础研究是原始创新的源泉，但目前我国尚未建成宽松的知识创新生态环境，导致原始创新成果缺乏，基本上都是“跟着别人屁股后面走”。加之关键材料和工艺设备长期依赖进口，所生产的产品性价比不高，缺乏市场竞争力。这是造成我国第三代化合物半导体产业化进展缓慢的主要原因。
此外，科研机构的成果找不到资金，而有资金的企业需要的是马上能赚钱的成果，这是一对天然的矛盾，至今仍然没有得到解决。这也导致我国第三代半导体产业尚未形成从材料、器件到整机应用的完整产业链，国产元器件性能仍不稳定。王院士认为，中国第三代化合物半导体产业化发展机遇大于挑战，只要在国家的大力支持下，科研单位和相关企业的协作攻关，实现技术赶超世界先进水平是完全可能的。
资料来源：
半导体学报、高科技与产业化。
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