中国粉体网讯 在第三代半导体浪潮中，碳化硅（SiC）因其耐高压、耐高温、低损耗的特性，成为新能源汽车、光伏、储能与超充场景的核心材料。华为并未亲自下场做重资产制造，而是通过旗下哈勃投资体系，对SiC产业链进行了从“材料—外延—器件—设备耗材”的全链条卡位。
来源：华为
公开信息显示，华为主要通过哈勃科技投资有限公司出手，投资对象覆盖衬底、外延、器件设计、核心耗材等多个关键环节。
衬底：锁定核心材料产能与技术
碳化硅产业链的起点是衬底，其晶体质量直接决定后续所有环节的天花板。华为在这一环节同时押注了两家国内头部企业，形成了“双支柱”格局。
来源：天岳先进
天岳先进
天岳先进成立于2010年，是世界碳化硅衬底行业领军企业。已于2022年、2025年先后登陆上交所科创板和香港交易所主板上市，成为两市首家且唯一实现“A+H”上市的碳化硅衬底公司。
公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。
哈勃投资于2019年8月以1.11亿元入股天岳先进，获得其当时10%的股权。公司上市后，哈勃投资的持股比例调整为5.63%，对应2726.25万股。在天岳先进上市后，哈勃投资仍持有2726.25万股，约占总股本的5.63%。2025年9月26日，天岳先进发布公告，哈勃投资计划减持不超过387.69万股公司股份。截至2026年上半年，哈勃投资持有1853.94万股，持股比例为3.83%。
2026年上半年，天岳先进实现营业收入9.14亿元，同比增长15.10%，综合毛利率22.86%；实现利润总额-5,066.66万元，实现归属于上市公司股东的净利润-5,861.66万元。
天科合达
天科合达专注于第三代半导体材料碳化硅衬底及相关产品的研发、生产和销售，是国内最早实现碳化硅衬底产业化的企业。历经二十年技术攻坚与产业化实践，公司打破了海外厂商对碳化硅衬底的长期垄断，已成长为碳化硅材料领域的全球领军企业之一，2023年以来，核心产品导电型碳化硅衬底市场占有率均排名全球前三。基于碳化硅衬底领域的深厚积累，公司向下游碳化硅外延片业务战略延伸，构建了行业内稀缺的“衬底+外延”一体化交付体系，实现了对下游器件厂商核心需求的直接响应与深度协同。
据天科合达招股说明书显示，哈勃投资持有公司1772.33万股，持股比例为3.5026%。
2026年6月30日，据上海证券交易所披露，天科合达科创板IPO申请正式获得受理，天科合达科创板IPO拟募集资金278000万元，募集资金将用于第三代半导体碳化硅材料扩产项目、碳化硅衬底材料单晶原料建设项目、江苏天科合达半导体有限公司碳化硅晶片一期项目厂房购置项目及补充流动资金。
财务数据显示，2023-2025年，天科合达归属于母公司股东的净利润分别为12,611.36万元、-60,616.88万元和-66,361.04万元，扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润分别为11,261.63万元、-62,648.71万元和-69,996.69万元。
外延：卡位器件性能的关键中间品
衬底之后，外延片是决定碳化硅器件耐压与可靠性的关键中间品。华为在这一环节同样落子两家龙头企业。
来源：天域半导体
瀚天天成
瀚天天成是全球领先的宽禁带半导体（第三代半导体）外延晶片提供商，主要从事碳化硅外延晶片的研发、生产及销售，产品用于制备碳化硅功率器件，被广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网及航空航天等领域。
公司可提供商业化3英寸、4英寸、6英寸和8英寸碳化硅外延晶片。深耕碳化硅外延领域十多年，公司凭借先进的技术水平、优质的产品性能及稳定的产品供应能力，在全球碳化硅市场具有较高的知名度、认可度及突出的国际竞争力。
股东结构上，哈勃投资以4.03%的持股比例位列第五大股东，与华润微电子（2.69%）、厦门国资等共同构成公司战略股东方阵。
2026年3月30日，碳化硅外延龙头企业瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司成功在香港联合交易所有限公司主板首次公开发行股票并挂牌上市。2026年上半年公司实现营收5.78亿元，同比增长92%。毛利达1.61亿元，同比增长193.5%，毛利率为27.8%。经调整净利润1.39亿元，同比增长43.4%。
天域半导体
天域半导体是中国领先的碳化硅外延片制造商之一，主要专注于自制碳化硅外延片。外延片是生产功率半导体器件的关键原材料。通过外延工艺，可在碳化硅衬底上生长出特定的单晶薄膜，即可获得具备特定晶面以及适当电学、光学和机械性能的单个外延片。通过切割、研磨及抛光碳化硅外延片，进一步封装、设计，即可得到功率半导体器件。公司的产品矩阵主要包括4英寸、6英寸及8英寸碳化硅外延片，广泛应用于电动汽车、电力供应、轨道交通、光伏、储能及智能电网等下游领域。
2021年7月，天域半导体获得哈勃投资的战略投资。截至2025年，哈勃投资持股6.57%。
2025年12月5日，公司在香港交易所主板成功挂牌上市，成为行业首家H股上市碳化硅外延企业。截至2026年6月30日，公司录得收入3.479亿元，同比增长4.3%；公司取得净亏损人民币1.226亿元。
器件设计：延伸至功率器件环节
从材料、外延进一步向下，华为也触及器件设计环节。
来源：东微半导体
东微半导体
苏州东微半导体股份有限公司是一家专注于高性能功率器件、数字电源管理芯片、高性能数字实时控制器、车规级模拟前端IC等产品开发的半导体企业。公司采用“设计+Virtual IDM”的创新模式，与上游FAB紧密合作，共同开发器件级创新技术。
2020年，东微半导发生一系列工商变更，投资人新增由华为投资控股有限公司全资持股的哈勃科技投资有限公司。同时，该公司注册资本由此前的约4425.14万人民币，新增至约4758.22万人民币，增幅达7.53%。
东微半导2022年2月10日于上海证券交易所登陆科创板上市，2026年上半年，公司实现营业收入7.36亿元，同比增长19.58%；归属于上市公司股东的净利润1.06亿元，同比增长285.41%。
被忽视的关键一环：碳化硅陶瓷零部件
如果说衬底、外延和器件决定了碳化硅芯片的“性能上限”，那么制造过程中的耗材与设备则直接决定了“良率底线”与“成本下限”。华为在这一环节的布局，体现了其对产业链理解的纵深程度。
来源：德智新材
德智新材
湖南德智新材料股份有限公司成立于2017年，位于动力之都株洲，注册资金2437万元，是一家专业从事碳基、陶瓷及其高端材料的研发、生产和销售的高新技术企业，率先实现国内半导体用Solid SiC刻蚀组件产品量产，拥有高端的技术、设备和高水平的研发团队。目前公司共有员工300多人，其中研发人员占比 20%，公司研发能力和产品品质深获业内认可。
公司主营业务为碳基、陶瓷及其高端材料的生产与销售，主要产品包括CVD@SiC涂层、Solid SiC、Sin@SiC-SiC、CVD@TaC涂层等系列产品，广泛应用于LED光电、集成电路、第三代半导体等领域。
2021年9月，德智新材发生工商变更，新增华为关联公司深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）为股东，同时公司注册资本由1471.98万元人民币增加至1766.38万元人民币，增幅为20%。
来源：每日经济新闻、蓝鲸新闻、科创板日报、财联社、各公司官网、招股说明书、年报等
（中国粉体网编辑整理/初末）
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