中国粉体网讯 近日，滁州市人民政府发布了关于《滁州欧美克新材料科技有限公司先进氮化硅陶瓷材料产业化项目环境影响报告表》。
电子电器工业的高速集成化促使半导体元器件朝着小型化、大电压、大电流、高功率密度的方向发展，这对元器件的组装和封装材料，特别是提供电绝缘和散热功能的脆性陶瓷基板提出了很大的挑战。常用的陶瓷基板材料有BeO、Al2O3以及AlN。其中，BeO粉末含有剧毒，而Al2O3陶瓷基板热导率较低（<30 W/（m·K）），AlN热导率虽然可达到270 W/（m·K）以上，抗弯强度却小于400 MPa，以上缺陷制约了三者在尖端半导体领域的应用。
氮化硅（Si3N4）作为一种难得的兼具高本征热导率（~320 W/（m·K））和优异力学性能的结构陶瓷材料，常温下非常稳定。通过调节烧结助剂的成分比例，可获得几倍于AlN抗弯强度（>800 MPa）的氮化硅陶瓷。潜在的高热导和优异的力学性能表现使氮化硅被视为当今时代最热门的半导体陶瓷基板封装材料。
高性能氮化硅陶瓷目前广泛应用于机械、航天航空等各领域。在此背景下，滁州欧美克新材料科技有限公司拟投资20000万元，环保投资133万元，建设先进氮化硅陶瓷材料产业化项目。
据了解，在2025年5月份，该公司公开了“一种基于氮化硅陶瓷轴承球的制备工艺及制备系统”的发明，涉及氮化硅陶瓷轴承球技术领域，包括以下步骤：S1，原料混合：采用湿法球磨对高纯度氮化硅粉末、烧结助剂以及增韧剂进行混合以得到混合料A；S2，干压成型：对混合料A进行挤压成型，以使得混合料A形成素坯；S3，气压烧结：在氮气气氛下，将素坯快速升温至1800℃，保温15‑35min，再降温至1600℃后保温8小时以上，以抑制晶粒生长，获得细晶结构。本发明可以有效提升氮化硅陶瓷轴承球内部的密度分布，通过密度均匀以使得氮化硅陶瓷轴承球在高速旋转时更加稳定，减少了不平衡现象，极大的提升轴承在高速旋转时的稳定性。
项目主要建设1栋生产车间，包括生产区、办公区、原料区、产品库等公用辅助设施。拟建项目建设完成后，可年生产氮化硅陶瓷轴承球100吨、结构件50吨、基板20万片。
参考来源：
1.国家知识产权局、滁州市人民政府
2.朱允瑞等，高导热氮化硅陶瓷基板影响因素研究现状
（中国粉体网编辑整理/山林）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除！
