中国粉体网讯 2023年6月29日，天岳先进携8英寸碳化硅衬底最新技术动态亮相Semicon China展会，受到高度关注。公司CTO高超博士在同期举办的功率及化合物半导体产业国际论坛公开了天岳先进最新进展。
来源：天岳先进
据介绍，在产品方面，目前天岳先进以6英寸导电型碳化硅衬底为主；产能方面，上海临港工厂已于5月3日举行交付仪式，公司预计随着公司技术的快速提升，将尽早实现临港工厂第一阶段30万片的产能目标。通过自主扩径技术制备的高品质8英寸产品，目前也已经具备产业化能力。
碳化硅的本身特性决定了其单晶生长难度较大，目前比较主流的方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法以及高温气相化学沉积法等。其中，液相法生长碳化硅晶体由于更接近热力学平衡条件，有望生长质量很好的碳化硅晶体，相比于PVT法生长碳化硅，液相法具有位错密度低、易于实现扩径、可以获得P型晶体等优点，另外，成本上的降低也是液相法的一大优势。
近日，天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。
除了产品尺寸，在大尺寸单晶高效制备方面，天岳先进采用最新技术制备的晶体厚度已突破 60mm，这对提升产能具有重要的意义，该技术也是天岳先进重点布局的技术方向之一。
在新能源汽车、光伏、储能等市场持续推动下，今年以来，国际半导体巨头纷纷联手国产碳化硅衬底、材料等环节巨头，进军8英寸碳化硅。据悉，8英寸的面积较6英寸增加了约78%，同等条件下从8英寸衬底切出的芯片数将提升近90%，可将单位综合成本降低50%。
今年5月份，天岳先进与英飞凌签订一项新的晶圆和晶锭供应协议，根据该协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向8英寸碳化硅晶圆过渡。值得一提的是，天岳先进的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。
此外，博世集团也与天岳先进签署了战略合作长期协议，以锁定芯片制造关键材料碳化硅衬底的需求。
随着全球能源电气化、低碳化的发展趋势，碳化硅半导体材料和器件将发挥越来越重要的作用，天岳先进表示，公司看好行业长远发展潜力，并努力做好技术突破和产能提升，继续引领发展，提升公司的长远价值。
来源：天岳先进、IT之家、中国经营网
（中国粉体网编辑整理/空青）
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