中国粉体网讯 近日，江苏本川智能电路科技股份有限公司发布公告，为进一步把握行业发展契机，稳步提升整体经营竞争力，其控股子公司南京本川鹏芯科技有限公司近日与西安交通大学经过平等协商，签署了《技术开发（委托）合同》，本川鹏芯委托西安交通大学研究开发功率半导体器件CIPB高密度封装技术开发项目，并支付研究开发经费和报酬，西安交通大学接受委托并进行此项研究开发工作，本川鹏芯为此投入研发经费及报酬共计50万元。
来源：本川智能
当前，碳化硅（SiC）半导体凭借耐高温、低损耗、高频化等优势，成为新能源、工业电力电子等领域的核心材料，而先进封装技术是决定碳化硅功率器件性能与可靠性的关键环节。此次合作将重点攻关碳化硅多芯片并联嵌入式CIPB（芯片内嵌功率基板）功率半导体封装技术，实现以下目的：通过多物理场仿真，验证嵌入式CIPB封装在SiC多芯片并联工况下的可行性与极限边界；在设计阶段识别并消除因高dv/dt、高功率密度带来的电、热、机械失效风险；为后续工艺定型、可靠性测试和量产降本提供数字化依据。
本次研发技术内容覆盖电、热、机械可靠性三大核心维度：
电性能：三维寄生参数提取；多芯片并联瞬态均流仿真（含门极走线、Kelvin源影响）；EMI频谱。
热性能：稳态与瞬态热-流耦合（芯片→铜柱→PCB内嵌铜层→散热器的完整路径）；高温热点定位及散热增强方案评估。
机械/可靠性：热-结构耦合应力：芯片焊层、铜柱-树脂界面、PCB层间剥离；功率循环、温度循环、随机振动、板级弯曲试验仿真；绝缘失效：电-热协同场强、局部放电起始电压。
本川智能称，基于对未来长远发展战略布局，聚焦碳化硅功率半导体高端封装领域前沿技术，着力布局CIPB（芯片内嵌功率基板）为核心的先进封装技术平台，全面布局高端电力电子器件赛道，公司正式启动碳化硅多芯片并联嵌入式CIPB封装技术的专项研发与产业化落地工作。
本次签订技术开发合同，旨在深度依托西安交通大学在电力电子领域深厚的科研积淀、实验平台与技术研发优势，结合公司自身多年来在PCB领域积累了丰富的精细化生产管理、质量控制经验和成熟的管理人才体系等方面的产业实操能力，高效推动前沿科研技术成果快速实现工程化迭代与产业化落地，双方协同完成适配CIPB技术路线的新型碳化硅封装结构及配套工艺体系的搭建，形成可量产的功率模块解决方案。同时借助高校优质科研平台与师资力量，助力公司专业技术人才梯队建设与核心研发团队能力提升，持续夯实公司相关产品技术壁垒与核心竞争优势，加速完善产业布局。
来源：本川智能公告
（中国粉体网编辑整理/初末）
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