中国粉体网讯 1月11日，广东省能源局发布广东芯粤能半导体有限公司“面向车规级和工控领域的碳化硅芯片制造项目”节能报告的审查意见：项目采用的主要技术标准和建设方案符合国家相关节能法规及节能政策的要求，原则同意该项目节能报告。
芯粤能碳化硅项目占地150亩，一期投资35亿元，建成年产24万片6英寸碳化硅晶圆的生产线；二期建设年产24万片8英寸碳化硅晶圆的生产线。
产品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要应用于新能源汽车、充电桩、工业电源、智能电网以及光伏发电等领域，达产后年产值将达100亿元。
该公告显示，此项目主要建设内容包括：建设年产24万片6英寸碳化硅基晶圆芯片生产线，主要建构筑物包括生产厂房、生产调度厂房、研发厂房、综合动力站、综合仓库、硅烷站、化学品库、废水处理站、危险品库、大宗气站等，主要设备包括光刻机、涂胶显影机、刻蚀机、烘箱、高温氧化炉管、高温激活炉管、清洗机、冷水机组、纯水制备系统、燃气锅炉等。
项目能耗量和主要能效指标：项目建成投产后，年综合能耗不高于10277吨标准煤（当量值），其中年电力消耗量不高于6450万千瓦时、天然气消耗量不高于175万立方米；项目集成电路晶圆制造单位产品电耗不高于0.72千瓦时/平方厘米。
传统硅材料在 MOSFET、IGBT、功率 IC 等领域的 器件性能已经逐渐接近极限，已无法适应新兴市场快速发展的变革需要，基于宽禁带半导体 SiC 制造的功率器 件具有更为优越的物化性能。通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延，即可得到适用于新能源汽车、光伏、 交通轨道等领域的功率器件。它们相较于硅基器件具有更高的工作温度、击穿电压以及优越的开关性质，其开 关频率和功率频率都轻易突破了传统材料的上限，因此广泛用于新能源汽车等领域。
国产碳化硅MOSFET晶圆
芯粤能定位车规级和工控级两大领域的功率平台和产品，正符合现在市场的发展趋势和需求。2022年11月21日，芯粤能碳化硅芯片制造项目洁净室全面启用，标志着芯粤能项目土建施工进入尾声，紧接着就是工艺设备的有序搬入和安装调试，为2023年初项目试投产做准备。
据调研，芯粤能已开始对国内外衬底与外延产品做调研及购买，为后续公司芯片产品验证和产线通线做进一步准备！
来源：半导体前沿、广东省发改委官网
（中国粉体网编辑整理/空青）
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