中国粉体网讯 在IGBT/SiC功率模块中，承载芯片的陶瓷基板同时承担着机械支撑、导电电路、散热等多重作用，AMB陶瓷基板凭借显著的性能优势，在诸多高可靠性要求的应用领域正逐渐替代DBC陶瓷基板，成为航空航天、新能源汽车、工业应用等领域的核心材料，发展前景受人瞩目。
随着功率半导体向更高功率密度与更高可靠性持续演进，材料体系与界面结构正成为决定性能上限与成本边界的关键因素。针对SiC器件高压、高温工作工况，传统Ag-Cu-Ti系AMB基板存在银迁移失效、成本波动等缺陷，在新能源汽车800V高压平台、轨道交通、电网等高功率器件的长寿命、高可靠服役要求下，兼顾成本和可靠性方案成为各家主流优化方向。
半导体及电子信息产业的快速发展对核心材料的性能提出了更高要求。电子陶瓷作为具有电、磁、热、机械等多功能耦合特性的关键基础材料，广泛应用于电容器、滤波器、传感器及封装基板等核心元件。其中，陶瓷基板是电子陶瓷在功率半导体封装领域的重要产品形态，其导热性能、机械强度、可靠性和精密程度直接决定了终端产品的性能与寿命。针对陶瓷基板/电子陶瓷材料设计、制备工艺、性能检测、应用场景等核心议题，中国粉体网将于2026年7月17日在江苏无锡举办第二届高性能陶瓷基板关键材料技术大会暨电子陶瓷技术创新峰会。届时，江苏瀚思瑞半导体科技有限公司副总经理陈天华将作题为《面向高压功率模块的无银活性钎焊 (AMB) 覆铜陶瓷基板：材料创新与可靠性研究》的报告。报告针对Cu-Ti、Cu-Sn-Ti等无银活性钎焊技术，阐释其陶瓷界面键合机理。相较于传统体系，无银方案可根除银迁移隐患、优化热疲劳与耐高温性能，适配超厚铜基板结构，同时简化蚀刻工艺、稳定供应链。经SAT冷热循环、热阻等测试验证，其可靠性与经济性更优，是突破高功率封装可靠性瓶颈的核心技术。
专家简介：
陈天华，江苏瀚思瑞半导体科技有限公司副总经理，拥有超15年半导体覆铜陶瓷及电子电路行业从业经验。在陶瓷覆铜基板领域从业近10年，拥有较强的产品设计及开发能力，拥有多项软件著作及发明专利。
参考来源：
行家说三代半、瀚思瑞半导体
（中国粉体网编辑整理/山林）
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