天岳先进:公司8英寸碳化硅衬底研发进展顺利


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[导读]  9月16日,ICSCRM 2022在瑞士达沃斯圆满落幕,天岳先进参加会议并就8英寸碳化硅衬底最新研发情况作出汇报。

中国粉体网讯  国际碳化硅及相关材料会议ICSCRM(The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials)是以碳化硅为代表的宽禁带半导体以及相关材料、器件的产业与学术并重的高水平国际论坛。9月16日,ICSCRM 2022在瑞士达沃斯圆满落幕,天岳先进参加会议并就8英寸碳化硅衬底最新研发情况作出汇报。



(晶型拉曼图谱检测报告)


衬底直径是衡量晶体制备水平的重要指标之一,天岳先进较早布局了8英寸产品的研发,是国内最早研发和布局产业化的企业之一。目前公司8英寸碳化硅衬底研发进展顺利,晶型均一稳定,具有良好的结晶质量。


有别于单晶硅等材料在生长过程中可以扩径的特点,碳化硅衬底材料的扩径需要先制备大尺寸籽晶,并且需要对缺陷和应力分布等进行严格控制。天岳先进从籽晶入手,在粉料合成、热场设计、工艺固化、过程控制、加工检测等全流程实现技术自主可控。


公司持续加大8英寸导电型衬底产业化突破。在前期自主扩径实现8英寸产品研发成功的基础上,将继续加大技术和工艺突破,并根据市场需求,积极布局产业化。


天岳先进成立于2010年,是一家专注于宽禁带半导体碳化硅衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。创立十余年来,在追求品质、保持先进和坚持可持续发展的经营理念指引下,从一家小规模的民营企业发展成中国碳化硅材料行业的领军企业。我们将继续始终秉承先进、品质、持续的经营理念,坚持依托先进的管理机制、生产设备、工艺技术向客户提供高品质产品,追求可持续发展。


(中国粉体网编辑整理/山川)

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