中国粉体网讯 随着新能源汽车、5G、人工智能、物联网等行业的蓬勃发展，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料产业规模不断扩大，先进陶瓷在半导体行业将迎来更大的应用市场。第一届半导体行业用陶瓷材料技术研讨会将于2022年7月13日在济南举办。江苏方达正塬电子材料科技有限公司邀请您共同出席论坛。
江苏方达正塬电子材料科技有限公司（Foundarzy，简称方达正塬）是一家由南京市紫金山英才高峰计划入选者创建的高技术企业。公司成立于2020年，主要从事氮化硅绝缘材料、覆铜基板等相关产品研发、生产、销售和应用研究。产品广泛应用于超高压电网、5G/6G、穿戴式装备、电动汽车、高铁、飞机、雷达、航空航天、碳中和等相关设备、先进制造及大国重器之中。
公司自2021年3月投资50万元立项研究，氮化硅陶瓷基板制备关键技术和装备；组建了由院士牵头的战略专家委员会，成员由中国科学院、哈尔滨工业大学、南京大学、东南大学的教授/研究员组成；技术团队构建了具有国际领先水平的氮化硅陶瓷的制造工艺流程、研发了系列关键装备、各生产环节的质量监控与中间产品筛选体系，在氮化硅基板制备等方面取得重要进展，已获得授权发明/实用新型专利10项，发表国际学术论文3篇。在审发明专利8项，实用新型专利7项。涉及到粉体搅拌、筛分、输送、收集、平整、加温、保温和冷却、粉体预处理、浆料制备、流延机、流延素坯、基板烧结、陶瓷基板、配方、烧结设备部件、在线监测、陶瓷织构化等，至今已提交发明专利6项，实用新型专利6项，正在实质性审查。
产品展示
1.氮化硅（Si3N4）陶瓷基板
公司掌握了国内外企业、高等院校和研究院所的先进生产技术和研究成果，设计了国内唯一氮化硅陶瓷基板自动化生产线，产品经多家用户检测和军方权威机构检测，验证结果与国外产品相当，局部优于国外产品。
氮化硅（Si3N4）基板与BeO、Al2O3和AlN基板相比较，具有综合性能最佳、使用寿命最长（是AlN的15~20倍）、可靠性最好的特点，详细如下：
绝缘性好：电阻率=1.0×1015~1016，电阻率约是BeO和AlN的10倍，Al2O3的10万倍
导热性强：热导率=80-177（理论值达320），热导率是Al2O3的3倍以上，与AlN相当，略逊于BeO
反应灵敏：介电常数=9.4，与Al2O3和AlN相当
热稳定：热膨胀系数=3，远低于BeO，比AlN低，约为Al2O3的1/3
寿命长：耐热循环次数=2000~5000次，是AlN和Al2O3的15~20倍，大大降低设备折旧成本
抗振动：高模量、机械强度大。
BeO属于剧毒产品，仅用于要求特殊的航天和导弹战斗部
Al2O3和是目前价格最便宜的基板，但是其导热性和使用寿命远远不能满足第三代半导体产业的要求。
AlN的主要问题是价格高（与Si3N4相当）但可靠性只有Si3N4的十分之一。
Si3N4基板具有向下兼容的特点，无需验证即可直接替代上述三种基板，不必再次验证。
随着Si3N4相基板的产量的增加和价格的下降，将逐步代替原来由Al2O3和AlN占据的市场份额，
(二)新颖性、先进性和独特性
产品属于国家“核高基”领域的军民两用卡脖子产品，在细分行业处于领军地位，市场紧缺，替代进口。
设计了国内唯一氮化硅陶瓷基板自动化生产线，严格的预处理技术和先进的生产技术保证了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶间相等方面的严格要求，晶格缺陷大大减少了，性能指标大大提升。
形成了既满足量大面广的民用产品的要求、还可提供高性能指标的基板和/或基片，形成高低搭配的、全方位的系列产品生产技术体系。
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