中国粉体网讯 韩国《朝鲜日报》4月17日报道，三星通过官网新闻中心宣布实现基于EUV光刻的5纳米FinFET工艺，并已准备好投入生产。据悉，三星电子还计划于本月推出7纳米产品，并在今年批量生产6纳米产品。
与7纳米相比，三星的5纳米FinFET工艺使特定面积的晶体管数量增加了25%，性能提升10%，功耗降低20%。此外，它是三星重复利用7纳米相关知识产权的成果，因此大幅减少了时间成本和落地成本。
据悉，该公司早在2017年就推出了EUV 7纳米工艺，并与竞争对手台积电展开激烈竞争以锁定客户。日前，三星已将更多资源投入其逻辑芯片和合约芯片制造业务，这些业务一直都落后于其内存半导体业务。本月早些时候，三星开始大规模生产5G网络芯片，以便在下一代无线市场上占据一席之地。三星电子副会长李在镕此前表示，“到2030年，我们将成为非存储半导体的佼佼者。（中国粉体网编辑整理/胡一）
