中国粉体网讯 据CINNO Research报道，SiC(碳化硅)材料专业厂商ArcheArche在韩国京畿道公司总部举行开幕式活动，宣布碳化硅外延片（简称SiC Epi）正式量产，启动硅碳化(SiC)核心材料国产化。
据悉，Arche公司成立于2014年，是一家专注于通过蒸镀SiC Epi，为半导体设备厂商供应SiC材料的专业厂商。成果开发出电力半导体核心技术之一SiCEpitaxy（Epi）晶圆。去年成功引进了100亿韩元（约5496万人民币）的投资，今年开始预计将正式产生销售额。
碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中对外延层质量的要求非常高。而且随着耐压性能的不断提高，所要求的外延层的厚度就越厚，成本也会相应调整。
基于SiC的电力半导体市场一般按照SiC晶圆→SiC Epi→芯片厂商→模组→需求企业的结构构成价值链。Arche生产从晶圆到芯片的中间过程SiC Epi晶片，并供应给芯片厂商。
Arche目前拥有德国芯片设备制造商爱思强（Aixtron）生产的G4蒸镀设备。Arche方面进一步引进了新的G5蒸镀设备(MOCVD)，预计3月份完成建设。在完成对相关设备的爬坡及良率稳定工作后，预计从今年第四季度开始正式量产产品。
电力半导体负责调节需要电力的电子产品、电动汽车、氢能源车、5G通信网络等电流方向，并起到控制电力转换的作用。以电动汽车为中心在多个领域应用，最近以SiC为材料制成的电力半导体备受关注。因为与现有硅(Si)等材料不同，SiC在耐久性方面具有卓越性。
SiC功率半导体具有高耐久性的特点，在高温和高压的极端环境下可保持98%以上的电力转换效率。另外，其兼具安全性和通用性，作为代替现有硅电力半导体市场的新一代产品，需求正在激增。
目前，Arche正准备生产用于电动汽车的650V和1200V级SiC Epi晶圆。其目标是未来通过持续研发，开发出除3000V和6000V外，还可用于航空航天、国防领域的12000V级的材料。
Arche公司代表徐尚俊表示，“Arche通过高性能的设备，多年薄膜工艺的Know how，分析系统的最优化，确保了高品质的量产技术“，并称“在下一代电力半导体市场，阿凯是SiC Epi的专业企业，将引领国内SiC材料技术国产化。”
来源：财经网
（中国粉体网编辑整理/空青）
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