中国粉体网讯 近日，位于中国（河北）自由贸易试验区正定片区的河北晶驰半导体材料装备研发生产项目正加快施工进度，为区域经济高质量发展注入新动能。
该项目总投资2亿元，一期计划建设2栋生产车间和1栋综合楼。目前进度最快的2号生产车间正在进行一层顶模板支设和钢筋绑扎，预计本月底一层封顶，1号生产车间和综合楼同步推进建设，预计整个项目9月底施工完成，具备投产条件。
该项目建成后，将独立研发、生产、制造碳化硅晶体生长和金刚石晶体生长及相关半导体材料设备，预计年营业收入2.2亿元。
碳化硅装备：第三代半导体核心赛道
以碳化硅（SiC）等为代表的第三代化合物半导体材料，凭借高击穿电场强度、高导热率、高电子饱和速度及耐腐蚀等优异物理化学特性，成为制备高温、高频、抗辐射及大功率电子器件的核心基础材料，在光电子与微电子领域应用空间持续拓展。当前行业正从技术验证转向规模化商用爆发期，产业技术加速迭代，材料良率提升、成本快速下探，进一步打开产业化空间。
随着SiC产能快速扩张、8英寸产线建设提速以及下游新能源与AI算力需求持续释放，化合物半导体行业市场规模保持高速增长，碳化硅衬底、外延、刻蚀、薄膜、清洗、量检测等专用装备需求同步快速攀升，成为半导体设备领域重要增量赛道。
金刚石装备：第四代半导体前沿突破
金刚石以其优异的物理特性在工业、半导体、珠宝等领域有着广泛应用。作为当前单质半导体材料中带隙最宽的材料，金刚石兼具高击穿电场、大饱和载流子速度、高载流子迁移率和低介电常数等卓越电学性质，更拥有自然界最高热导率，是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件的理想材料，被称为第四代半导体材料。金刚石衬底材料市场正处于“技术突破-场景验证-量产爬坡”的关键阶段。
攻克“卡脖子”技术实现进口替代
来源：正定发布
河北晶驰半导体材料装备研发生产项目是正定县招商选资重点项目，由河北晶驰机电有限公司投资建设。企业深耕半导体材料装备这一“国之重器”领域，聚焦碳化硅、金刚石等宽禁带半导体关键生长设备研发制造，全力突破国外技术垄断，提升国内先进材料制造能力，实现核心设备进口替代。
企业联合浙江大学、杭州电子科技大学等高校，与浙大科创中心共建实验室，组建由中科院院士、浙大教授领衔的研发顾问团队，已拥有18项核心专利。
在碳化硅领域，公司率先实现8-12英寸碳化硅单晶炉技术突破，设备批量交付头部企业；6-8英寸长晶设备将衬底良率提升至92%，12英寸设备完成头部企业交付与工艺验证。在金刚石领域，成功产出2-6英寸半导体级单晶，填补国内技术空白。
参考来源：正定发布、网信正定
（中国粉体网编辑整理/初末）
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