中国粉体网讯 2026年7月3日，由中国粉体网主办的“第二届玻璃基板与TGV技术大会”在安徽合肥成功举办！大会期间，中国粉体网邀请到多位业内专家学者做客“对话”栏目，就玻璃基板与TGV技术的研究进展及产业现状进行了访谈交流。本期，我们邀请到的是深圳大学符显珠教授。
中国粉体网：符教授，请问您目前的研究方向有哪些？能否跟我们简单分享一下？
符教授：我们团队目前的主要研究方向为电子电镀、化学镀以及电催化相关领域。与本次会议主题相关的TGV技术，我们重点研究的是化学镀与电镀技术在TGV中的应用，以及相关配套材料的开发工作。
中国粉体网：当前芯片封装向小型化发展，为什么玻璃基板TGV技术变得越来越重要？
符教授：随着芯片小型化发展，传统的摩尔定律发展模式已经难以适配行业需求，芯片产业开始转向堆叠式发展，TSV、TGV这类通孔技术成为关键。其中玻璃基板具备显著优势，成本低廉、可制作大尺寸基板，且电学性能优异，因此TGV技术得以快速普及、成为行业热点。除此之外，当下算力芯片的尺寸不断增大，传统有机基板极易出现翘曲问题，稳定性远不如玻璃基板，这也进一步凸显了玻璃基板TGV技术的应用价值。
中国粉体网：请问传统真空PVD工艺制作TGV种子层存在哪些短板？
符教授：PVD是一项成熟工艺，在TGV孔金属化领域，针对深宽比15:1或10:1以下的通孔，能够顺利沉积铜、钛等金属材料，适配常规工艺需求。但随着芯片封装密度不断提升，行业对通孔深宽比的要求持续提高，PVD工艺的短板就凸显了出来。在高深宽比的深孔结构中，工艺存在沉积死角，金属材料无法有效进入深孔内部，难以完成高质量孔金属化加工。同时，PVD工艺依赖大型真空设备，设备成本、生产成本整体偏高，量产性价比不足。
中国粉体网：全湿法化学镀+电镀填孔方案相比真空工艺，核心优势体现在哪里？
符教授：该方案的核心优势集中在高适配性与工艺实用性两大方面。从核心性能来看，我们的全湿法方案可适配超高深宽比通孔加工，不仅能满足15:1以上的常规高深宽比需求，还可实现50:1以上超高深宽比通孔的种子层制备，加工能力远超传统真空工艺。究其原理，化学镀采用水溶液药水体系，具备无孔不入的渗透特性，能够均匀润湿、填充高深宽比微孔，解决了真空PVD工艺的死角沉积难题，是超高密度封装孔金属化的优秀方案之一。
中国粉体网：您的课题组配套研发了前处理液、活化剂、沉铜液等系列关键材料，这套体系的研发难点主要集中在哪些方面？
符教授：整套材料体系的研发主要攻克了两大核心难点。
第一是玻璃基底与镀层的结合力难题。玻璃是惰性材料，若直接进行化学镀铜，镀层与玻璃基底的结合力极差，极易脱落。区别于真空镀的高能沉积方式，化学镀为温和的湿法沉积，本身结合强度有限。我们针对性研发了专用前处理液，通过预处理改性玻璃表面，构建过渡结合界面，如同为铜层打造“抓手”，解决镀层附着不牢的问题。
第二是超高深宽比微孔的药水润湿与沉积难题。我们研发适配的通孔深宽比可达50:1甚至更高，且孔径小于10微米，微孔结构极其狭小。传统工艺使用的胶体钯含有固体颗粒，难以深入超细微孔内部，无法完成均匀活化、沉铜。对此，我们研发了无固相药水体系，药水无固体颗粒，可顺畅渗透到超高深宽比微孔深处，均匀制备高质量种子层。
除此之外，电镀填孔环节也存在技术难点。通孔孔口处电力线最为密集，极易出现提前堵孔、空洞、缺陷等问题。我们自主研发了专用添加剂体系，摒弃了行业常用的脉冲电镀模式，仅采用直流电镀即可实现通孔无缺陷完整填孔，大幅简化工艺、降低设备成本。
中国粉体网：好的，感谢符教授接受我们的采访。
