中国粉体网讯 晶锭切片环节是大尺寸碳化硅衬底生产主要堵点之一，传统线锯切片方式由于损耗大、良率低、速度慢等不足，无法用于大尺寸碳化硅衬底生产。在“颠覆性技术创新”重点专项支持下，北京晶飞半导体科技有限公司成功开发出“高效低损耗碳化硅晶锭双脉冲激光切片装备”。
其首创双脉冲高效低损耗切片技术，通过精确调控激光改质层裂纹扩展方向，可将8英寸碳化硅切片后表面粗糙度由100 μm降至30 μm，切片时间由50 min/片降至25 min/片，从而大幅提高碳化硅衬底产能并降低成本。
2025年，北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。该突破标志着中国在第三代半导体关键制造装备领域迈出重要一步，为全球碳化硅产业的降本增效提供了全新解决方案。该技术此前在6/8英寸碳化硅领域已通过多家客户验证，设备性能达到国际先进水平。
北京晶飞半导体科技有限公司是中国科学院半导体研究所科技成果转化企业，专注于半导体专用设备的研发、生产和销售。公司以激光应用技术为核心，开发了系列具有自主知识产权的半导体加工设备，服务客户覆盖国内主要半导体制造企业。
晶飞半导体CEO表示，“我们始终坚持以技术创新推动产业进步，12寸碳化硅激光剥离技术的成功开发，不仅是公司技术实力的体现，更得益于北京市科委、中国科学院半导体研究所的大力支持，以及由京津冀国家技术创新中心组织实施的‘颠覆性技术创新’重点专项的支持。未来，我们将继续加大研发投入，为客户提供更多优质的半导体装备解决方案。”
2026年5月28日“第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”将在安徽合肥召开。届时，晶飞半导体总经理韩世飞应邀将出席会议并做精彩报告《先进激光剥离技术在碳化硅/金刚石衬底加工中的应用》。
韩世飞总经理硕博均毕业于中国科学院半导体研究所。韩世飞博士对激光与硬脆物质相互作用机理具有深刻的认识与理解，带领公司研发团队攻克激光加工第三代半导体材料碳化硅等关键核心技术。研究生期间，负责完成了碳化硅激光垂直切片平台从0到1的搭建，在表面粗糙度等关键技术指标上获得客户认可，作为技术骨干参加北京市三个科研项目并顺利完成，作为项目负责人承担2024年“颠覆性技术创新”重点专项。申请发明专利3项，授权2项，发表学术论文6篇。
资料来源：晶飞半导体官微、北京城市副中心技术创新中心官微。
（中国粉体网编辑整理/平安）
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