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长飞先进携手道达智能，解锁SiC芯片新应用
近日，长飞先进与道达智能在武汉基地举行“碳化硅芯片应用于AMHS天车项目”签约仪式，标志着碳化硅芯片应用于AMHS天车项目正式进入实质性推进阶段。长飞先进是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造的企业，具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。道达智能作为科技创新驱动型企业，近年来坚持自主研发，已步入AMHS天车系统“芯片”国产替代的深水区，通过长飞先进实地极限验证测试，更有效地加速了核心芯片国产化替代应用与供应链安全保障。
天岳先进：液相法高品质P型衬底制备技术取得新进展
晶体生长学界著名期刊《JournalofCrystalGrowth》近期刊登了天岳先进在液相法高品质p型衬底制备方面取得的进展。继全球首发8英寸液相法晶体、12英寸p型衬底以来，天岳先进在液相法技术方面持续引领行业发展。本次公布的研发成果在晶体质量、电学均一性、长载流子寿命以及创新性热场设计方面均取得突破进展，继续强化技术领先优势。高质量p型碳化硅衬底的技术突破，为万伏级功率芯片量产奠定了基础。
合盛硅业：加速碳化硅等高端产品产业化
合盛硅业表示，2026年将适度收缩光伏业务投入，聚焦硅基主业，深化降本增效，强化资源能源保障，加速有机硅深加工、碳化硅等高端产品产业化，推进数字化转型与绿色低碳发展。当前，公司碳化硅业务正处于快速发展阶段，其已掌握全产业链核心技术，6/8英寸衬底量产，12英寸衬底研发送样。
总投资8亿元！深圳车规级碳化硅封装产线落地
深圳投资项目在线审批监管平台发布了深圳基本半导体股份有限公司年产70万只碳化硅模块封装产线建设项目备案公示。深圳基本半导体股份有限公司年产70万只碳化硅模块封装产线项目于2026年4月落地坪山，总投资超8亿元。该项目由基本半导体旗下子公司基本封装测试（深圳）有限公司建设运营，专注于车规级碳化硅功率模块的封装测试，年产能70万只，可满足约35万辆新能源汽车的主逆变器需求。项目占地面积8447.59平方米，总建筑面积约49790平方米，配备国际先进的封装测试设备与智能生产线。
博世发布第三代SiC芯片，性能提升20%
总部位于德国的博世集团已开始推出其第三代碳化硅（SiC）芯片，并正向全球汽车制造商提供样品。博世表示，公司利用其独特的制造技术，使芯片在尺寸更小的同时性能更强。其核心在于对自1994年以来应用的刻蚀工艺进行了改进。该工艺最初用于传感器制造，如今可在碳化硅材料中实现高精度的垂直结构加工。这种结构设计显著提升了芯片的功率密度，而功率密度正是第三代产品性能提升的关键因素。博世表示，新一代芯片性能提升了20%，同时尺寸也显著小于上一代产品。
吉林高新区与鲲腾半导体开展SiC项目对接
吉林高新区与鲲腾半导体公司举行碳化硅半导体项目对接座谈会。鲲腾半导体公司总经理黄斌表示，鲲腾半导体将依托自身技术优势与华微电子公司深度合作，在吉林高新区全力打造集研发、设计、生产于一体的第三代半导体产业基地，推动碳化硅半导体技术产业化、规模化发展，助力区域产业结构优化升级，培育新质生产力。
投资1.8亿元！江阴碳化硅功率芯片封测项目签约
中韩集成电路产业园一期项目签约入驻暨二期开工活动在江阴高新区举行，总投资10.8亿元。其中中瑞宏芯碳化硅芯片封测基地项目签约，苏州中瑞宏芯半导体有限公司成立于2020年4月，是一家专注于第三代半导体碳化硅（SiC）功率芯片和模块研发与产业化的高新技术企业。项目投资1.8亿元，将设立碳化硅功率芯片封测基地。
国创中心（苏州）大尺寸碳化硅激光隐形切割技术取得重大突破！
由江苏第三代半导体研究院有限公司、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）承担的江苏省集萃研究员项目“六英寸碳化硅晶锭激光隐形切割技术研发”取得重大技术突破。该技术在碳化硅晶锭切割效率、良率、损伤控制及减薄精度等方面实现多项关键突破，有望大幅降低大尺寸碳化硅衬底加工成本，助力宽禁带半导体产业高质量发展。
2025年营收81.8亿元！芯联集成碳化硅等业务占比提升
芯联集成发布2025年年报，报告期公司营业收入81.80亿元，实现25.67%的高速增；归母净利润同比大幅减亏38.17%，亏损收窄至-5.95亿元。公司碳化硅、模拟IC以及功率模块等高附加值业务占比提升。在功率器件领域，芯联集成是中国最大的车规级IGBT生产基地之一，同时公司在SiC MOSFET出货量上稳居亚洲前列，是国内产业中率先突破主驱用SiC MOSFET产品的头部企业，2025年公司8英寸碳化硅已经实现量产出货。
参考来源：天岳先进、道达智能、芯联集成、江苏第三代半导体研究院、合盛硅业、无锡广电江阴融媒体中心等
（中国粉体网编辑整理/初末）
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