中国粉体网讯 6月24日，据“经济日报”消息，国研院国仪中心与鼎极科技合作，开发雷射研磨技术，解决碳化硅（SiC）晶圆制程遇到的成本、效率与良率瓶颈，现将与安森美捷克厂合作，进行技术验证，从Beta-site测试开始，力拼试量产，并迈向量产阶段。
碳化硅（SiC）作为第三代半导体的代表，具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度高、导热率大等特点，在1200V的高压环境中优势明显。但碳化硅材料硬度高、脆性大、化学性质稳定，加工难度极大，传统研磨方式在加工效率及品质良率上皆存在瓶颈，不仅耗时、研磨损耗多，且因其采取机械性加工，会在晶圆的表面造成损伤，甚至导致整片晶圆破裂，严重影响晶圆良率，大幅提升制造成本。
国研院国仪中心携手鼎极科技开发雷射研磨技术，提升碳化硅晶圆所展示的样品
来源：国研院
此次，国家实验研究院国家仪器科技研究中心宣布与鼎极科技合作，共同开发红外线奈秒雷射应用于碳化硅晶圆研磨制程的关键技术。为了解决成本过高、不良率太高的难题，国研院国仪中心运用精密光学与先进雷射的研发能量，成功导入红外线奈秒级雷射系统，开发出专为碳化硅晶圆量产需求设计的雷射研磨技术。
国仪中心指出，此技术可将每片晶圆的研磨时间从3小时缩短为2小时，且不会造成晶圆损伤，晶圆破片率可自5%降至1%，大幅提高产品良率。其次，该技术将减少研磨造成的晶圆损耗，显著降低维护成本，预计可减少前期晶圆制造超过10%的生产成本，后期晶圆后制程可再降低20％成本。此外，该技术可将碳化硅晶圆的硬度由原本约3000 HV（维氏硬度所用单位）降至60 HV，显着降低后续加工的时间和成本。
目前红外线奈秒雷射应用于碳化硅晶圆研磨制程的技术，已通过鼎极科技落地转化。同时，美国晶片制造商安森美半导体公司（ONSemiconductor Corp.）捷克厂适逢扩厂，鼎极科技将与之强强联手，从今年开始至2027年合作，进行技术验证，从Beta-site测试开始，力拼试量产、甚至量产。目前安森美已将晶圆运来中国台湾进行初步测试，Fine-tune（微调）之后就会将机台整机运到捷克，鼎极科技也规划在今年第4季于捷克设立服务中心，也盼将机台推广到欧洲。
国仪中心则指出，未来将与鼎极科技持续合作，推动此项技术商品化，并进一步扩展至8英寸碳化硅晶圆与多层异质结构元件的应用，也有机会应用于其他高硬度材料的精密加工，如氮化镓、陶瓷基板与先进封装材料。
来源：经济日报、工商时报
（中国粉体网编辑整理/空青）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除
