中国粉体网讯 近日，南通威斯派尔半导体技术有限公司双喜临门，公司接连获得国家高新技术企业、市级企业工程技术研究中心两项荣誉认定。
喜讯一：国家高新技术企业
根据《江苏省2024年度第三批高新技术企业名单》，南通威斯派尔半导体技术有限公司成功通过“国家高新技术企业“认定！
高新技术企业是科技创新的主力军，也是拉动经济高质量发展的强引擎。公司荣获“国家高新技术企业”认定，是国家对企业在核心自主知识产权、科技成果转化能力、研发组织管理水平等方面综合实力的权威认证。
喜讯二：市级企业工程技术研究中心
根据南通市科技局发布的《关于认定2024年南通市级研发机构的通知》，南通威斯派尔半导体技术有限公司被评为“市级企业工程技术研究中心”！市级企业工程技术研究中心的认定，标志着威斯派尔在半导体技术领域的研发能力达到了新的高度，为行业发展注入了更多活力。
覆铜陶瓷基板
近年来，随着新能源行业的迅猛发展，半导体功率模块得到了广泛的应用。功率模块一般应用在大功率大电压环境中，相较于通常的电子应用领域，其对载板的电流载流能力、绝缘耐压能力、以及高效散热能力有着更高的要求。然而，覆铜陶瓷基板的高载流、高耐压、高散热的特点，恰好满足了功率模块的应用需求。
覆铜陶瓷基板按工艺分可以一般可分为DBC(Direct bonded copper，直接覆铜陶瓷基板)、DPC(Direct plated copper，直接电镀陶瓷基板)、AMB(Active metal brazing，活性金属钎焊陶瓷基板)等。其中DBC和AMB覆铜陶瓷基板在半导体功率模块中被大量应用。
DBC陶瓷基板
DBC陶瓷基板一般是在Al2O3陶瓷上直接覆铜。首先需要将铜箔（Cu）做氧化处理，然后将Al2O3陶瓷陶瓷片和处理后的铜箔压合，铜箔在1065°C形成CuO共晶相，进而与Al2O3陶瓷陶瓷片发生反应生成CuAO2或Cu(AO2)2，实现铜箔与陶瓷间共晶键合。如果是AlN陶瓷，则需要预先在AlN陶瓷表面做氧化处理，生成Al2O3，再进行覆铜。
得益于铜箔与陶瓷间共晶键合强度较高，DBC基板的铜厚一般可以做到100μm-600μm，同时陶瓷和铜具有良好的导热性，DBC基板的热稳定性也很好，广泛应用于各种IGBT功率模块、激光器（LD）和光伏（PV）等器件封装散热中。
AMB陶瓷基板
AMB陶瓷基板则是利用含少量活性元素的金属钎焊料，将铜箔与陶瓷片间紧密焊接起来。AMB钎焊料中添加的少量活性元素具有高活性，可提高钎焊料熔化后对陶瓷的润湿性，使陶瓷表面无需金属化就可与金属实现良好焊接。
通过钎焊实现陶瓷表面覆铜的AMB基板，相比DBC基板，其结合强度更高，可靠性也更好。AMB基板中的陶瓷一般是Si3N4陶瓷和AlN陶瓷，二者的导热性能（Si3N4 AMB>80W/m·K，AlN AMB>170 W/m·K）远高于Al2O3 DBC（24W/m·K）。另外，Si3N4 AMB还拥有出色的机械强度。
关于南通威斯派尔
南通威斯派尔半导体技术有限公司专注于为IGBT/SiC功率模块提供高可靠性的散热基础材料，全力打造以AMB及DBC技术为基础的覆铜陶瓷基板产品；公司已取得IATF16949:2016认证，产品已达到汽车产品的供应要求，将推动电动汽车、轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能、白色家电、航空航天、军工等产业领域的低碳可持续发展。
覆铜陶瓷基板 图源：南通威斯派尔
参考来源：
南通威斯派尔官网，南通市科技局，江苏省科技厅等
（中国粉体网编辑整理/轻言）
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