三星已开始使用极紫外光刻技术量产14纳米DRAM芯片


来源:TechWeb.com.cn

[导读]  10月12日消息,据国外媒体报道,今日,存储芯片制造商三星电子宣布,它已开始使用极紫外光刻(EUV)技术量产业界最小的14纳米DRAM芯片。

中国粉体网讯  10月12日消息,据国外媒体报道,今日,存储芯片制造商三星电子宣布,它已开始使用极紫外光刻(EUV)技术量产业界最小的14纳米DRAM芯片。



三星电子表示,EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤,提高了图案绘制的准确性,从而提高了性能和产量,缩短了开发时间。


利用最新的DDR5标准,三星14纳米DRAM将帮助解锁前所未有的高达7.2Gbps的速度,这是DDR4速度(3.2Gbps)的2倍多。


该公司表示,即将开始量产DDR5,并预计最新工艺将使生产率提高20%,功耗降低近20%。


据悉,三星是全球最大的存储芯片和智能手机制造商之一。在近日举办的晶圆代工论坛上,该公司宣布,将从2025年开始量产2nm芯片,并计划从2022年上半年开始生产客户设计的3nm芯片,第二代3nm芯片预计将在2023年生产。


(中国粉体网编辑整理/星耀)

注:图片非商业用途,存在侵权请告知删除!

推荐0
相关新闻:
网友评论:
0条评论/0人参与 网友评论

版权与免责声明:

① 凡本网注明"来源:中国粉体网"的所有作品,版权均属于中国粉体网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:中国粉体网"。违者本网将追究相关法律责任。

② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

粉体大数据研究
  • 即时排行
  • 周排行
  • 月度排行
图片新闻