投资近35亿元!年产70万片的SiC衬底项目签约包头


来源:半导体在线

[导读]  包头市人民政府与北京世纪金光半导体有限公司在包头市正式签署“年产70万片6-8 英寸碳化硅单晶衬底项目”战略合作协议。

中国粉体网讯  10月10日,包头市人民政府与北京世纪金光半导体有限公司在包头市正式签署“年产70万片6-8 英寸碳化硅单晶衬底项目”战略合作协议。


包头·北京科创基地组织北京世纪金光半导体有限公司赴包考察座谈


该项目由包头·北京科创基地协助导入,计划落地包头市青山区装备制造产业园区,总投资34.57亿元,项目总建设周期为3年,正式投产时将建成年产70万片6-8寸单晶衬底生产线同时包含碳化硅单晶长晶切磨抛加工检测,有力推动青山区晶硅产业壮大成势,助力装备制造园区开发晶硅新产品。


北京世纪金光半导体有限公司是一家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业,是致力于第三代半导体功能材料和功率器件研发与生产的国家级高新技术企业。公司成立于2010年12月,位于北京经济技术开发区。其前身为中原半导体研究所,始建于1970年,至今有50年历史积淀。


公司以“自主创新”为己任,专注于战略新兴半导体的研发与生产,经过多年的发展,已创新性的解决了高纯碳化硅粉料提纯技术6英寸碳化硅单晶制备技术高压低导通电阻碳化硅SBD、MOSFET结构及工艺设计技术等。目前已完成从碳化硅功能材料生长、功率元器件和模块制备、行业应用开发和解决方案提供等关键领域的全面布局。


世纪金光”碳化硅6英寸单晶已量产;功率器件和模块制备已覆盖额定电压650-1700V、额定电流5-100A的碳化硅肖特基二极管(SBD),额定电压650-1200V、额定电流20-100A的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),50-600A的全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块等。在终端应用方面,世纪金光碳化硅功率器件已经成熟应用于电源PFC、充电桩充电模组、光伏逆变器、特种电源等领域;基于碳化硅技术的新能源汽车电机驱动系统的技术开发已经获得重要进展。


(中国粉体网编辑整理/空青)

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