中国粉体网讯 2月4日，晶盛机电举行6英寸双片式碳化硅外延设备新品发布会。
6英寸双片式碳化硅外延设备揭幕仪式，来源：晶盛机电
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体被国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要列入重要发展方向。碳化硅材料在高温、高频、高频领域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽车、智能电网领域发挥重要作用。
根据Yole数据，受新能源汽车行业庞大的需求驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将达到62.97亿美元，2021-2027年的复合增速约为34%。
据介绍，该产品历时两年的研发、测试与验证，在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势，与单片设备相比，新设备单台产能增加70%，单片运营成本降幅可达30%以上。
6英寸双片式碳化硅外延设备
晶盛经过一年的研发，成功生长出行业领先的8英寸N型碳化硅晶体，完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产，为实现我国在第三代半导体材料领域关键核心技术自主可控作出积极贡献。
据悉，在今年1月12日，晶盛联合创新产业园项目大楼主体全面封顶。晶盛机电投资8亿元，在产业园建设12英寸集成电路大硅片设备测试实验线，预计2023年7月投入使用。
据公开资料显示，晶盛机电成立于2006年，为国内晶体生长设备龙头，下游覆盖光伏、半导体、蓝宝石、碳化硅4大领域。在半导体设备方面，其已实现8英寸硅片晶体生长、切片、抛光、外延加工设备全覆盖（占比整线设备80%价值量），12英寸硅片长晶炉设备已小批量出货，客户包括中环、金瑞泓、有研、合晶等优质半导体企业。
发布会上，晶盛机电董事长曹建伟博士表示，碳化硅全产业链从设备到工艺的创新，成本快速下降，产能快速扩张。晶盛机电持续以科技创新引领产品、工艺的迭代和突破，在先进制程及功率器件半导体装备领域，解决“卡脖子”难题，实现进口替代，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。
来源：晶盛机电公众号
（中国粉体网编辑整理/空青）
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