中国粉体网讯 鉴于台基股份2020年年报和2021年半年报都提到持续跟踪SiC、GaN等第三代宽禁带半导体技术研发和应用，有投资者提问其公司或控股公司是否有资金投入到SiC、GaN等第三代宽禁带半导体技术的研发和应用。台基股份回答表示，公司根据研发项目计划安排和实际需求进行投入，公司跟踪和研发以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术，尚未形成产品。
台基股份主营功率半导体器件的研发、制造、销售及服务，主要产品为大功率晶闸管、整流管、IGBT、电力半导体模块、固态脉冲功率开关等功率半导体器件，广泛应用于工业电气控制系统和工业电源设备，包括冶金铸造、电机驱动、电机节能、大功率电源、输变配电、轨道交通、新能源等行业和领域。
过去几十年，“摩尔定律”一直引领着半导体产业的发展。但随着半导体工艺演进到今天，每前进一代，工艺技术的复杂程度呈指数级上升。就半导体材料而言，随着第一、二代半导体材料工艺已经接近物理极限，其技术研发费用剧增、制造节点的更新难度越来越大，从经济效益来看，“摩尔定律”正在逐渐失效。半导体业界纷纷在新型材料和器件上寻求突破，TSMC、Intel和Samsung等半导体大厂开始寻找新的方法来延续高速成长，“超越摩尔定律”的时代已经到来。以新原理、新材料、新结构、新工艺为特征的“超越摩尔定律”为半导体产业发展带来了新的机遇，而第三代半导体是“超越摩尔定律”的重要发展方向。与第一、二代半导体材料相比，以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体材料拥有高频、高功率、抗高温、抗高辐射、光电性能优异等特点，更加适合于制造微波射频器件、光电子器件、电力电子器件，是未来半导体产业发展的重要方向。
台基股份在半年报中显示，公司作为功率半导体细分市场的重要企业，将抓住机遇扩大晶闸管、整流管、IGBT、电力电子模块等产品销量和市场占用率，跟踪和研发以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术，通过持续技术创新实现公司产业升级。
参考来源：
中国电子报、湖北台基半导体股份有限公司2021 年半年度报告
（中国粉体网编辑整理/山川）
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