中国粉体网讯 近日，山东天岳先进科技股份有限公司披露了“2025年第一次临时股东大会会议资料”，主要内容是将有关公司赴港上市等情况的十三条议案提请股东大会审议，其中，会议资料中公布了有关SiC衬底项目的相关内容。
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碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、强化学稳定性等优良特性，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有重大应用价值。在新能源产业强劲需求下，全球SiC产业步入高速成长期，加大了对SiC衬底产能的需求。近年来SiC衬底生产商加速推进8英寸衬底的研发和量产进度，以抢占8英寸先机。国内虽然起步时间相对较晚，但近年来8英寸SiC衬底研究取得了显著进展。2022年多家单位宣布开发成功8英寸导电型4H-SiC产品，包括天岳先进。
来源：天岳先进官网
天岳先进成立于2010年11月，是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。公司秉承“先进·品质·持续”的经营理念，以满足客户需求、帮助客户解决问题为导向，重视产品品质和服务品质，自主掌握工艺技术，积极拓展市场，追求业务可持续发展。
来源：天岳先进官网
2022年，天岳先进登陆上交所科创板，并开始重点布局导电型碳化硅衬底材料。自上市以来，天岳先进的经营规模不断壮大。根据行业调研机构统计，2023年公司的导电型碳化硅衬底材料市占率已经位列全球前三，不仅实现了关键半导体材料的自主可控，还实现了半导体材料的“出海”，在国际市场具有竞争力和较高影响力。
天岳先进“2025年第一次临时股东大会会议资料”中，披露了“关于公司境外公开发行H股募集资金使用计划的议案”，天岳先进本次境外公开发行H股所募集的资金在扣除发行费用后，将主要用于以下几个方面：
一是持续扩张国内外8英寸或更大尺寸衬底产能，提升现有产能的生产效率；
二是加强技术研发，保持创新领先性，丰富产品组合。
对于募集资金可能出现的不足或超出项目资金需求的情况，天岳先进进行了规划：如果本次募集资金不足项目资金需求部分，公司将根据实际需要通过其他方式解决；如果出现本次募集资金超过项目资金需求部分的情况，超出部分将用于补充流动资金等用途。
参考来源：
[1] 行家说三代半、天岳先进官网、巨潮资讯网、中国粉体网
[2] 熊希希等，低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备
（中国粉体网编辑整理/山林）
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