中国粉体网讯 近日，河北同光半导体股份有限公司国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式，在保定国家高新技术产业开发区举行。
碳化硅（SiC）材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能，在现代工业领域应用广泛。在半导体领域，利用其具有禁带宽度、击穿场强高和导热性良好等特性，SiC成为继第一代半导体硅（Si）和第二代半导体砷化镓（GaAs）之后的第三代半导体理想材料；在光学镜面领域，利用其轻量化、比刚度大和热变形系数小等特点，SiC成为空间反射镜光学元件的优选材料；在机械密封领域，利用其较高的尺寸稳定性、耐腐蚀性能和耐磨性质，SiC材料已经在航空、船舶及特殊车辆等多种场合作为密封元件进行开发应用。
碳化硅单晶作为第三代半导体材料的核心代表，处在碳化硅产业链的最前端，是高端芯片产业发展的基础和关键。
河北同光半导体股份有限公司，成立于2012年，专业从事碳化硅单晶片研发，生产和销售，是国家高新技术企业，国家专精特新“小巨人”企业。
来源：同光股份官网
同光股份始终秉持“以科技为先导，创国际一流企业”的理念，以创新力为导向，注重人才引进与培养，与中国科学院半导体研究所密切合作，搭建创新平台。2021年9月，同光股份年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目，在涞源县经济开发区投产，成为保定第三代半导体产业从研发到规模量产的一次成功跨越，其目前还在保定国家高新区厂区布局碳化硅晶体生长炉500余台。现如今，同光股份已经逐渐跻身到行业的第一梯队，建成从原料合成、晶体生长、衬底加工，到晶片检测国际先进，完整的碳化衬底生产线。
来源：同光股份官网
近日，同光股份国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式，在保定国家高新技术产业开发区举行。项目预计总投资8.82亿元，2027年全部投产。
同光股份国家级企业技术中心的揭牌，是同光股份发展历程中的重要里程碑。这是其成立以来获得认定的首个国家级研发平台资质，也是河北省在碳化硅领域，唯一一家获得国家级技术中心的企业。
来源：保定日报
参考来源：
[1] 同光股份官网、保定微讯、保定日报
[2] 徐慧敏等，碳化硅晶片的化学机械抛光技术研究进展
（中国粉体网编辑整理/山林）
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