中国粉体网讯 据日本化学工业日报报道，三菱化学与日本制钢所合作研发的氮化镓(Gallium Nitride; GaN)基板技术，经确认结晶成长已达4寸。氮化镓是镓与氮的化合物，是实现超高效率元件的关键材料，业界相当期待正式普及化。今后将以大型实验设备进行反覆验证，预计2022年初推至量产，可望在2030年度成长至数百亿规模的大型事业。相关人员表示，原先评估量产要到2023年以后，因开发状况顺利且超过预期，将提前投入市场。
这项研发源自于新能源产业技术总合开发机构(NEDO)推动的「实现低碳社会之次世代功率电子计划」补助事业，并在GaN的结晶成长技术上展现成果。实证采用2021年5月刚竣工的全球最大规模GaN基板制造实证设备，加上独家开发的「SCAAT(Super Critical Acidic Ammonia Technology)-LP」的制造技术，得以制作出高品质且低成本的GaN基板，并使之成长至4寸。比起试生产所用的设备，大型实证设备在规模上有大幅度的提升，因此可制造更大量的GaN基板。
（中国粉体网编辑整理/长安）
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