4月9日上午，在北京会议中心召开了“北京市科学技术奖励大会暨二OO四年北京科技工作会议”。中科院微电子所“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”项目荣获“北京市科学技术奖”一等奖。会上还同时宣读了“北京市人民政府关于2003年度北京市科学技术奖励的决定”，给授予一等奖的21个单位的代表颁发了奖状。
据悉，该项目是在吴德馨院士、副所长叶甜春等同志领导下，由项目组全体人员通力协作、共同攻关完成的“九五”国家重点科技攻关项目。它包含了先进的X射线光刻技术、高密度等离子体刻蚀技术、0.1微米HFET新型器件等内容。目前，有的成果已经推向市场，有的正在目前的科研工作中发挥重要作用。
据悉，该项目是在吴德馨院士、副所长叶甜春等同志领导下，由项目组全体人员通力协作、共同攻关完成的“九五”国家重点科技攻关项目。它包含了先进的X射线光刻技术、高密度等离子体刻蚀技术、0.1微米HFET新型器件等内容。目前，有的成果已经推向市场，有的正在目前的科研工作中发挥重要作用。
