中国粉体网讯 近日，半导体材料大厂富士胶片控股株式会社（Fujifilm，以下简称“富士胶片”）正式宣布，其位于日本大分县的半导体材料工厂新生产大楼已竣工并投入运营，将后CMP清洗剂（post-CMP cleaner）产能一举扩大至三倍，以响应全球AI半导体产业对先进材料激增的需求。
什么是后CMP清洗剂？
在前端/后端多层结构不断堆叠的工艺链中，CMP（化学机械抛光，Chemical Mechanical Planarization）负责全局平坦化，但同时引入磨料颗粒、化学副产物与金属/有机残留。后CMP清洗（Post-CMP Cleaning）就位于抛光之后、下一步沉积或光刻之前，是把污染“清零”的关键环节。
随着技术节点的演进，传统的清洗方案面临巨大挑战。例如，在45nm以下制程中，强碱性清洗液虽然能去除硅溶胶，但会导致金属栅极表面的非均匀腐蚀，增加表面粗糙度。
针对这一痛点，新一代清洗液技术正在发生变革：
●生物素聚乙二醇衍生物的应用：创新性地引入此类衍生物，不仅能渗入硅溶胶与金属表面的微小间隙，包裹并去除杂质，还能通过亲水性基团提高络合物的溶解度，有效避免表面损伤。
●协同缓蚀技术：采用N-杂环取代磺胺类化合物作为缓蚀剂，与络合剂形成氢键网络，快速迁移至金属表面形成吸附膜，在高效清洗的同时，将表面粗糙度控制在极低水平。
●宽禁带半导体专用清洗：针对碳化硅（SiC）等高硬度材料，开发了专用的一步法清洗液，大幅缩短工艺流程，有效去除高锰酸钾等顽固残留，降低了制造成本。
富士胶片此次扩建项目总投资约70亿日元（约合4400万美元），厂房建筑面积约3600平方米，为四层钢结构建筑。新厂房配备了自动化制造系统和满足尖端半导体材料超高纯度要求的质量评估设备，屋顶还安装了太阳能板，以扩大可再生能源使用比例，降低工厂运营碳排放。该工厂将由富士胶片旗下的富士胶片电子材料株式会社运营，主要生产后CMP清洗剂。
富士胶片预计，到2030财年，后CMP清洗剂的销售额将较2024财年翻一倍以上，驱动力正是AI芯片对制程微缩与3D堆叠技术的需求。需要指出的是，此次大分工厂扩建是富士胶片2024年9月宣布的约200亿日元整体扩产计划的一部分。当时富士胶片宣布在静冈县吉田町和大分市两座工厂分别投资约130亿日元和70亿日元，目标开发可供2nm以下先进制程使用的半导体材料。
参考来源：
富士胶片、芯智讯、Semicon Maniacs、半导体制造工艺交流
（中国粉体网编辑整理/山林）
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