中国粉体网讯 氮化硅陶瓷基板综合性能优异可靠，主要采用活性金属钎焊覆铜AMB工艺，氮化硅陶瓷基板在导热性、高机械强度、低膨胀系数、抗氧化性能、热腐蚀性能、摩擦系数等方面具有优异的性能。它的理论热导率高达400W/（m.k），热膨胀系数约为3.0x10-6℃，与Si、SiC、GaAs等材料具有良好的匹配性，使氮化硅陶瓷基板成为非常有吸引力的高强度、高导热性能，完全满足高温、大功率、高散热、高可靠性的第三代大功率半导体电子器件基板材料封装要求。
在新能源汽车的核心电机驱动中，采用SiC MOSFET器件比传统Si IGBT带来5%～10%续航提升，未来将会逐步取代Si IGBT。但SiC MOSFET芯片面积小，对散热要求高，氮化硅陶瓷基板具备优异的散热能力和高可靠性，几乎成为SiC MOSFET在新能源汽车领域主驱应用的必选项。此外，光伏储能、工业功率也是高可靠氮化硅陶瓷覆铜基板的应用方向。
半导体及电子信息产业的快速发展对核心材料的性能提出了更高要求。电子陶瓷作为具有电、磁、热、机械等多功能耦合特性的关键基础材料，广泛应用于电容器、滤波器、传感器及封装基板等核心元件。其中，陶瓷基板是电子陶瓷在功率半导体封装领域的重要产品形态，其导热性能、机械强度、可靠性和精密程度直接决定了终端产品的性能与寿命。针对陶瓷基板/电子陶瓷材料设计、制备工艺、性能检测、应用场景等核心议题，中国粉体网将于2026年7月17日在江苏无锡举办第二届高性能陶瓷基板关键材料技术大会暨电子陶瓷技术创新峰会。届时，南通威斯派尔半导体技术有限公司总经理周鑫将作题为《引领高可靠氮化硅陶瓷覆铜基板在新能源汽车、光伏储能与工业功率模块的全域创新应用》的报告，报告将围绕覆铜陶瓷板行业简介、覆铜陶瓷板行业和技术趋势、威斯派尔覆铜陶瓷板解决方案进行介绍。
专家简介：
周鑫，南通威斯派尔半导体总经理，拥有多年全球半导体行业管理经验，曾任职于ST、汉高，贺利氏等多家世界500强企业，深度聚焦功率半导体封装与先进材料领域。2022年加入威斯派尔后，全力驱动覆铜陶瓷基板技术普及，赋能新能源电驱、智能电网等高端应用，加速电力电子技术迭代升级。
参考来源：
中国粉体网
（中国粉体网编辑整理/山林）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除！
