半导体刻蚀升级
耐蚀陶瓷材料迎严苛要求
等离子刻蚀技术是超大规模集成电路制备工艺中不可或缺加工技术。在半导体晶圆尺寸不断增大以及特征尺寸不断缩小的发展进程中，晶圆的污染问题越来越突出。而刻蚀机腔室材料作为晶圆的主要污染源之一，其耐等离子刻蚀性日益受到人们的关注。
陶瓷材料因具备优异的耐腐蚀性能，在半导体工业中，多种陶瓷材料已经成为晶圆加工设备的耐等离子体刻蚀材料。其中刻蚀机腔体内耐等离子刻蚀陶瓷材料需满足多重核心要求：
1 纯度要高，金属杂质含量少； 2 主要组成成分化学性质稳定，特别是与卤素类腐蚀性气体的化学反应速率要低； 3 致密度高，开口气孔少； 4 晶粒细小，晶界相含量少； 5 具有优良的机械性能，便于生产加工； 6 某些部件可能还有其他性能要求，如良好的介电性能、导电性或导热性等。 氧化钇（Y2O3）： 半导体刻蚀的优选耐蚀陶瓷基材
在各类适配的陶瓷材料中，氧化钇（Y2O3）凭借突出的综合性能脱颖而出。氧化钇属于立方晶系，熔点高达 2430℃，兼具良好的电绝缘性与透光性。由于传统工艺制备的Al2O3陶瓷已经无法承受卤素类等离子体的刻蚀，难以满足大批量硅片生产的需求，而Y2O3又具有极好的化学稳定性和难侵蚀特性，所以Y2O3陶瓷作为半导体生产中的耐等离子体刻蚀材料备受关注。
Y2O3作为耐刻蚀材料的优点如下：
1 由于AlF3的消除，Y2O3造成的表面颗粒和缺陷污染减少； 2 材料中的过渡金属含量低，降低了金属污染的风险； 3 Y2O3具有更加优异的介电性能，并且高致密的Y2O3陶瓷部件，其抵抗介质击穿能力越强； 4 作为耐等离子腔体材料，在等离子体中腐蚀速率较低。
氧化钇陶瓷造粒粉是制备高纯氧化钇陶瓷的核心基础粉体，其性能直接决定终端氧化钇陶瓷部件的品质与使用效果，优质的氧化钇陶瓷造粒粉需兼具高纯度、良好的成型性与烧结性，才能满足半导体高端制造对陶瓷配件的精度、致密性与耐腐蚀性要求。
洛瓷科技： 高纯氧化钇陶瓷造粒粉优质供应商
深圳市洛瓷科技有限公司深耕特种陶瓷与电子专用材料领域，依托专业的粉体制备技术，推出适配半导体刻蚀设备陶瓷配件的高纯氧化钇陶瓷造粒粉产品，凭借精准的性能调控与稳定的产品品质，成为氧化钇陶瓷粉体领域的优质供应商。
洛瓷科技的氧化钇陶瓷造粒粉为白色喷雾干燥造粒粉，采用先进的喷雾干燥工艺制备，可直接用于陶瓷压制成型，产品完全匹配半导体高端制造对原料的严苛要求，核心性能指标表现优异。
1. 晶相与纯度：为立方晶相，与氧化钇陶瓷的稳定晶相一致，成分纯度≥99.9%，杂质含量严格控制，从原料端保障氧化钇陶瓷的耐腐蚀性与绝缘性；
2. 粉体成型性能：松装密度为1.15-1.20g/cm³，比表面积12±2m²/g，中值粒径40-60μm，粉体流动性与堆积性优异，压制成型时填充均匀，可有效提升生坯致密度；
3. 烧结性能：烧结温度为1650℃，烧结后密度≥4.98g/cm³，灼烧损失5.5±0.5wt%，低灼烧损失表明粉体有机残留少，烧结过程中不易产生气孔，高烧结后密度可实现氧化钇陶瓷的致密化，保障陶瓷部件的力学性能与耐腐蚀性。
欢迎各界客户联系公司了解产品详情、索取样品，或进行技术对接与合作洽谈，洛瓷科技将以专业的产品与服务，为客户提供适配的特种陶瓷粉体解决方案。
