当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能、5G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我国 “十四五” 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题。
为加快推动我国 SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 年 5 月 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇。
在此背景下，先进半导体晶体材料将于2026年5月28日在安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。合肥孚烜自动化科技有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
合肥孚烜是专精特新中小企业，创新型中小企业。营业项目：半导体/光电厂/材料厂 工艺机台、高纯电子材料核心装备、厂务供应系统研发、设计、生产、测试、安装一体化，高科技厂房无尘室系统/机电系统及机台二次配工程等。
产品介绍
1、湿法清洗机（Wet Bench）
应用领域：集成电路制造/LED/第三代化合物半导体/先进封装；
典型工艺：RCA/BOE/DHF/H3PO4应用领域：集成电路制造/LED/第三代化合物半导体/先进封装；
典型工艺：显影/去胶
产品特点：
适用4/6/8/12寸wafer Develop /PRS
模块化设计，机构紧凑，维护方便
自动配液，不同浓度精准配比
支持IPA干燥
多Robot多任务执行
2、半自动清洗机
3、化学品输送系统（CDS）CDM：FX-200L-D
化学品自动供液系统：
应用领域：半导体、太阳能、液晶面 板、光纤等生产领域
相关功能：取样、循环、输送
常 用 化 学 品 ： HF/HNO3/HCL/H2SO4/KOH/NAOH/H 2O2/NH4OH等
设备关键配置：
双桶200L、耐腐蚀滚轮
双气动泵、一用一备
出口取样功能
单/双出口设计
PLC控制、触摸屏操作
以太网通讯接口等
有机溶剂类化学品自动供液系统：
应用领域：半导体、太阳能、液晶面 板、光纤等生产领域
相关功能：过滤、取样、循环、输送
常用化学品：
IPA/BDG/EBR/ACT/HMDS/EKC等
设备关键配置：
单桶/双桶200L、不锈钢滚轮
双气动泵、一用一备
双过滤器、50L/PFA
过滤前、后，取样
单/双出口设计
PLC控制、触摸屏操作
以太网通讯接口等
会议主题：
1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望
2、大尺寸（8 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径
3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺
4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展
5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创新
6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能
7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对比
8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控制
9、高平整度 SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升
10、8 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型
11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应用
12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控制
13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标
14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析
15、立方 SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控
16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技术
17、SiC 晶体生长 “黑匣子” 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开发
18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模式
报名送产业研究报告（限前50名）
会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
邮箱：duanwanwan@cnpowder.com
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