中国粉体网讯 近日，住友金属矿山株式会社宣布，其自主研发的键合型碳化硅（SiC）衬底产品“SiCkrest®”已被新电元工业株式会社用于其功率半导体——金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中。
（图源：住友金属矿山）
据中国粉体网了解，住友金属矿山的“SiCkrest”是一种用于SiC功率半导体的关键衬底材料。该产品采用公司独有的键合技术，将晶圆实现双层结构，在保持高性能的同时显著降低成本。具体而言，该技术在低电阻的多晶SiC支撑衬底上，键合一层超薄的高质量单晶SiC层，从而在保留单晶特性的同时，实现整体衬底的低电阻化，并有效抑制通电过程中的性能劣化。目前，该产品已有8英寸和6英寸两种规格可供选择。
MOSFET是一种用于电子电路中控制电信号“导通”与“关断”的晶体管。从节能角度看，市场对具备更高电力转换效率的MOSFET需求日益增长。新电元工业此次新开发并已开始样品出货的MOSFET，采用了具有低电阻特性的“SiCkrest”衬底，并结合其独有的器件设计，成功在高温工作条件下有效抑制了导通状态下电阻的上升，从而显著降低了功率损耗。凭借此类优异特性，该器件有望广泛应用于车载设备等对大电流、高耐压性能有严苛要求的领域。
住友金属矿山称未来将持续拓展“SiCkrest”的应用领域，并强化供应体系，为推动功率半导体市场中材料技术的发展作出贡献。同时，公司将充分发挥从原材料到衬底制造的一体化生产优势，作为支持下一代器件开发的可靠合作伙伴，积极回应客户多样化的需求。
资料来源：住友金属矿山
（中国粉体网编辑整理/平安）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除！
