中国粉体网讯 碳化硅制造装备是碳化硅技术和产业发展的基础，碳化硅单晶生长炉的技术水平、工艺能力及自主保障是碳化硅材料向大尺寸、高良率方向发展的关键，也是牵引第三代半导体产业向低成本、规模化发展的主要因素。
目前国内主要的碳化硅长晶炉厂商主要分为两种类型，一是专业晶体生长设备供应商，二是碳化硅衬底厂商（采用自研/自产设备的模式），在两者共同推动下，基本实现了设备国产化。
北方华创
北方华创成立于2001年9月，2010年在深圳证券交易所上市，是北京市国资委一级企业北京电子控股有限责任公司下属的国有控股上市公司，是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业。在半导体装备业务板块，北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、炉管、清洗、晶体生长等核心工艺装备，更是碳化硅单晶炉主要的国产企业。
北方华创已具备300台/月的6英寸SiC长晶炉交付能力，在8英寸SiC长晶设备方面则已开发了3种机型。在供货方面，北方华创已经向国内多家下游SiC材料主流厂商实现大批量交付。
晶升股份
晶升股份成立于2012年2月，是一家专业从事8-12英寸半导体级单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的国家高新技术企业。2023年，晶升股份液相法SiC晶体生长设备研究取得新进展，成功研发出该设备并提供给多家客户。同年公司科创板上市，募资加速扩产及研发。
晶升股份在SiC单晶炉主要技术指标方面具有先进性，可达到或优于国外主流厂商技术水平。目前，公司的8英寸碳化硅长晶设备已向多家客户交付并通过验收，2025年二季度8英寸设备将批量交付于中国大陆及中国台湾客户。
连城数控
连城数控成立于2007年，业务领域涉及半导体与光伏两大赛道。2023年设立全资子公司连科半导体，聚焦和专注于硅及碳化硅领域装备的研发和制造，并在无锡规划建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地，以推进半导体设备国产化进程，提高市场占有率。同年，连城数控液相法碳化硅长晶炉顺利下线；2024年5月上线“新一代8英寸碳化硅长晶炉”。
恒普技术
宁波恒普技术股份有限公司成立于2011年，是一家以材料研究为基础，以高温热场环境控制为技术核心的金属注射成形(MIM)领域和宽禁带半导体领域的关键设备供应商，主要从事金属注射成形(MIM)脱脂烧结炉、碳化硅晶体生长炉、碳化硅同质外延设备等热工装备的研发、生产和销售。目前的产品包含水冷夹套式金属腔体SiC长晶炉、双石英管SiC长晶炉、水平线圈式⻓晶炉、单石英管SiC长晶炉等，以轴径分离为核心技术，应用于电阻式长晶炉彻底解决轴径方向上的温度耦合现象。
优晶科技
苏州优晶半导体科技股份有限公司成立于2010年，是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。优晶科技经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型UKING ERH SiC RV4.0电阻法碳化硅长晶设备，可用于6英寸、8英寸量产。
科友半导体
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司自2018年成立以来，以第三代半导体碳化硅为核心，构建了从装备研发到衬底制造的全产业链闭环。在第三代半导体装备领域，科友已形成三大技术壁垒：长晶设备自动化控制、高纯度材料制备工艺、定制化设备开发能力。其自主研发的电阻式碳化硅长晶炉，突破了国际技术封锁，该设备长出的晶体具有“应力低、品质高、一致性好”的特点，良品率显著优于传统感应式设备。
天科合达
北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延片制备。该公司拥有自主知识产权的“PVT 碳化硅单晶生长炉制造技术”、“高纯度碳化硅生长原料合成技术”、“PVT 碳化硅晶体生长技术”、“低翘曲度碳化硅晶体切割技术”、 “碳化硅晶片精密研磨抛光技术”和“即开即用的碳化硅晶片清洗技术”等六大核心技术体系。其第五代长晶炉支持8英寸衬底生产。
力冠微电子
山东力冠微电子装备有限公司成立于2013年，产品涵盖第一代至第四代半导体材料工艺装备，均拥有自主知识产权，完全自主可控。其自主研发的8英寸PVT碳化硅长晶炉已实现批量销售，涵盖感应加热与电阻加热两种技术路线，可灵活适配导电型与半绝缘型碳化硅晶体的生长需求。同时，该公司进一步攻克了12英寸PVT电阻加热长晶炉的研发难关，并已完成首批两台设备的交付。
中科汉达
沈阳中科汉达科技有限公司创建于2018年，总部位于沈阳市国家自主创新示范核心浑南区，是国内领先的半导体材料制备装备和真空非标装置的高新技术企业。公司可提供6-8英寸碳化硅晶体制备、晶体生长、工艺退火全流程装备，其感应法碳化硅长晶炉适用于物理气相传输法（PVT）生长6-8英寸碳化硅单晶，采用双层立式石英管水冷结构提供稳定的长晶环境，具有生长高品质晶体、性能稳定等优势。
卓远半导体
江苏卓远半导体有限公司成立于2018年，专注于宽禁带半导体晶体装备及其材料的研发生产与制造，主营业务有宽禁带半导体晶体生长装备、金刚石与碳化硅晶体工艺及解决方案以及在智慧电网、新能源汽车等领域的相关应用。公司可提供PVT法SiC长晶炉，支持6-8英寸晶体生长。
来源：各企业官网、官微
（中国粉体网编辑整理/空青）
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