中国粉体网讯 7月25日晚间，中瓷电子发布公告称，其拟以支付现金的方式收购北京国联之芯企业管理中心（有限合伙）（以下简称国联之芯）持有的北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称国联万众）5.3971%股权。
公告显示，中瓷电子于7月16日签署了股权转让协议。国联万众为公司前次重大资产重组的标的公司之一，且为配套募集资金投资项目“第三代半导体工艺及封测平台建设项目”及“碳化硅高压功率模块关键技术研发项目”的实施主体。本次交易完成后，国联万众将成为公司的全资子公司。
投入第三代半导体产业，上下游协同发展
中瓷电子是我国光通信器件电子陶瓷外壳产品领域的开创者，公司打破了国外行业巨头的技术封锁与产品垄断，实现国产替代，成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳生产企业。
第三代半导体材料的性能优势决定了半导体器件能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景。SiC的高热导率可以有效传导热量，降低器件温度，维持其正常工作。饱和电子漂移速率决定了器件的开关频率，SiC该指标的高数值有助于提高工作频率，将器件小型化。
国联万众是第三代半导体领军企业，主要产品包括氮化镓通信基站射频芯片、碳化硅功率模块等。GaN射频芯片主要客户为安谱隆等射频厂商，应用于5G通信基站建设；SiC功率模块主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，目前已与比亚迪、智旋等重要客户签订供货协议并供货。
中瓷电子目前重点开发该领域，已有第三代半导体器件/模块用电子陶瓷外壳批量供货。该产品系列主要有横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）功率管封装外壳、5G通信用GaN器件陶瓷外壳等。
中瓷电子依托中电科十三所的研发资源和技术沉淀，深耕电子陶瓷外壳领域。而中国电科作为国内最早研制第三代半导体碳化硅设备的单位，旗下中电55所、中电46所、中电13所及中电2所均布局于第三代半导体的不同产品领域，产业链覆盖完整；中电13主要以SiC/GaN的单晶材料及外延材料为主。中国电科在第三代半导体产业链的全面布局也将助力中瓷电子在第三代半导体领域快速发展并追赶国际水平。
同时，此次收购完成，有助于中瓷电子构筑国内碳化硅稀缺资源，伴随产能扩张，扩大市场份额，并作为电子陶瓷外壳重要下游，发挥协同效应。
来源：中瓷电子公告、东北电子Bonjoursilicon
（中国粉体网编辑整理/空青）
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