扬杰科技:投资10亿元拟建6英寸碳化硅晶圆项目


来源:中国粉体网   空青

[导读]  扬杰科技已于4月18日与扬州市邗江区政府签署《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》,拟在当地投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目,总投资约10亿元。

中国粉体网讯  4月20日,扬州扬杰电子科技股份有限公司(简称:扬杰电子)发布公告,公司已于4月18日与扬州市邗江区政府签署《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》,拟在当地投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目,总投资约10亿元



该项目分两期实施建设,项目全部建成投产后,将形成碳化硅6英寸晶圆产能5000片/月。项目位于于扬州市邗江区汽车产业园,新建厂房项目新建厂房27,000平方米。


作为第三代半导体材料的核心,碳化硅与传统的硅半导体相比,具有宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优点,可以在更高温度、更高电压、更高频率和更高辐射环境下工作,并具有更高的耐用性和可靠性,在汽车、工业、IT及消费电子等多个领域的应用中有替代硅基器件的潜力,未来前景广阔。近年来,随着新能源汽车、光伏等市场景气度拉升,对碳化硅产品的需求也日愈增强,驱动碳化硅器件加速导入和发展,进一步打开了碳化硅的市场空间。


据公开资料显示,扬杰科技是单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链一体化企业。公司持续布局SiC技术,2015年,公司的SiC肖特基二极管研制成功;2016年,公司自主封装的SiC SBD、SiC JBS产品送样给电动汽车、充电桩及光伏逆变器等领域客户试用,收到良好反馈;2019年,公司对于高压SiC产品方面的开发设计已经完成。


碳化硅JBS肖特基二极管,来源:扬杰科技


2022年上半年,公司开发出650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD(碳化硅肖特基二极管)产品,得到国内TOP10光伏逆变器客户认可,并完成了批量出货。SiC MOSFET(碳化硅场效应管)产品中,SiC 1200V 80mohm系列产品实现量产,预计2023年会拿到相应的批量订单,1200V 40 mohm产品也已推出,后续将进一步布局6-8英寸碳化硅芯片生产线建设。2023年,扬杰科技正式成立了碳化硅事业部。


为匹配碳化硅市场拓展需求,扬杰科技于2022年收购湖南楚微半导体40%股权,目前楚微半导体已实现8英寸线的规模化生产,月产能达1万片,按照二期规划,将新增3万片/月的8英寸硅基芯片生产线项目和5000片/月的6英寸碳化硅基芯片生产线项目。


根据公司业绩快报显示,扬杰科技2022年实现营收54.18亿元,同比增长23.22%;净利润10.61亿元,同比增长38.17%。目前,公司在清洁能源和汽车电子市场领域市占率逐步提升,其中汽车电子方面获得海内外多家汽车零部件企业认可,并在全系列逐步开始批量交付。


今年4月,扬杰科技也完成GDR发行工作并在瑞交所上市,募集资金总额为2.15亿美元,扣除相关费用后将用于进一步推进芯片研发、车规级分立器件制造、国际渠道拓展等领域的海外布局。


来源:扬杰科技公司公告、证券时报e公司


(中国粉体网编辑整理/空青)

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