中国粉体网讯 希科半导体科技（苏州）有限公司6英寸SiC外延片经过了行业权威企业欧陆埃文思材料科技（上海）有限公司和宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室的双重检测，检测结果显示希科半导体科技（苏州）有限公司利用国产衬底和国产外延设备可以生产出媲美国际大厂的SiC外延片。
图为欧陆埃文思材料科技（上海）有限公司检测报告截图
图为宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室检测报告截图
以碳化硅为代表的第三代半导体材料是继硅、砷化镓之后最具行业前景的半导体材料之一。过去十年来，由碳化硅功率器件推动的电力电子系统的小型化、高效化正在引领一场全世界电力电子系统和装置（新能源车PCU、车载充电器，充电桩、光伏和风电逆变器、储能逆变器、特种电源、高压和特高压输变电和无功补偿装置等）的深刻变革。
碳化硅半导体产业链主要包括碳化硅衬底、外延片、器件制造以及下游应用市场。碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，所以外延的质量对器件的性能影响巨大，处在一个产业的中间环节，对产业的发展起到非常关键的作用。
公开资料显示，希科半导体科技（苏州）有限公司成立于2021年8月，是一家致力于发展第三代半导体碳化硅（SiC）材料的高科技公司。作为苏州国家第三代半导体创新中心重点引进的合作项目，团队拥有多年的碳化硅外延晶片开发和量产制造经验，凭借业内最先进的外延工艺技术和最先进的测试表征设备，能够为客户提供满足行业对低缺陷率和均匀性要求的6吋n型和p型掺杂外延晶片材料。
参考来源：希科半导体
（中国粉体网编辑整理/山川）
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