碳化硅单晶衬底在涞源实现规模量产


来源:河北新闻网

[导读]  9月5日,直径4—6英寸碳化硅单晶衬底项目在涞源县投产,总投资约9.5亿元,年产10万片。

中国粉体网讯  9月5日,直径4—6英寸碳化硅单晶衬底项目在涞源县投产,总投资约9.5亿元,年产10万片。该项目建有单晶生长炉600台,拥有国际先进水平生产线,可满足5G通信、智能汽车、智慧电网等行业的芯片需求。该项目的投产,标志着第三代半导体材料——碳化硅单晶衬底在我省实现规模量产。


据介绍,碳化硅单晶作为第三代半导体材料的核心代表,是高端芯片产业发展的基础和关键。河北同光科技发展有限公司是国内率先从事第三代半导体产业的企业之一,专业从事第三代半导体材料——碳化硅单晶衬底的研发和制备,掌握了从原料合成、单晶生长、衬底加工到品质检测等关键技术,形成关键装备自有、核心技术自主的完整技术体系,产品各项技术指标达国际先进水平。


近年来,保定市在第三代半导体碳化硅单晶衬底技术、市场和产业链协同等多个层面发力,形成了上中下游协同机制,为打造国家新能源与先进制造业基地奠定了基础。


(中国粉体网编辑整理/山川)

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