首批氧化镓单晶衬底!浙大杭州科创中心又迎新成果


来源:浙大杭州科创中心

[导读]  近日,浙江大学杭州国际科创中心成功获得首批氧化镓单晶衬底。

中国粉体网讯  近日,浙江大学杭州国际科创中心成功获得首批氧化镓单晶衬底,这是继去年获得体块氧化镓单晶之后取得的又一个重要进展,标志着科创中心在材料加工领域具备高水平研究的能力。


浙江大学杭州国际科创中心研制的氧化镓单晶衬底


这批氧化镓单晶衬底由科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室研制,导电类型为半绝缘型,尺寸达到25.4 mm,厚度约800 μm,表面粗糙度小于0.5 nm,高分辨X射线摇摆曲线测试测得半高峰宽为47.5 arcsec,衍射峰均匀对称,单晶质量较好。以上关键技术指标已经达到了领域内的先进水平。


(中国粉体网编辑整理/山川)

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