【原创】半导体材料专家——褚君浩院士


来源:中国粉体网   墨玉

[导读]  褚君浩,中科院院士,长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。

中国粉体网讯  提起半导体,今天的人们并不感到陌生。它已渗入人类社会生活的方方面面,从手机到计算机,从飞机到产业机械,从云端和移动通讯到分子集半导体制造,到处都可以看到半导体的身影,半导体正悄无声息地改变着我们的生活。科技的飞速发展总是离不开科研学者们孜孜不倦地努力,在我国半导体界就有这么一位院士……




褚君浩(1945年3月20日—),江苏宜兴人,中国半导体物理和器件专家,中国科学院上海技术物理研究所研究员、红外物理学家。现任中国科学院上海技术物理研究所研究员、博士生导师,中国科学院上海技术物理研究所学位委员会副主任,SCI期刊《红外与毫米波学报》主编,华东师范大学信息科学与技术学院院长,兼任上海市科协副主席、中国光学工程学会常务理事。


人物经历


1966年,毕业于上海师范学院(现上海师范大学)物理系,被分到上海市梅陇中学当物理老师。

1978年,考上中科院上海技术物理研究所研究生。

1981年,获得中国科学院上海技术物理研究所硕士学位。

1984年,获得中国科学院上海技术物理研究所博士学位。

1984年12月起,担任中科院技术物理研究所物理室副主任。

1986年2月至1988年10月,他获得德国洪堡基金,赴德国慕尼黑技术大学物理系从事半导体二维电子气研究。

1993年7月,任中科院红外物理国家重点实验室主任。

2005年,褚君浩正式当选中科院院士。


科研成就


褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型发现HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。


兴趣与努力缺一不可


褚君浩院士从小就热爱科学,尤其对物理学情有独钟。高考的时候物理更是考了满分!都说兴趣是最好的老师,这句话在褚君浩院士身上得到了很好的验证。但是任何成功都离不开努力,褚君浩院士不仅热爱物理,还不断努力地学习物理。1978年,我国恢复了研究生制度后褚君浩院士通过勤奋刻苦的努力考到中科院上海技术物理研究所,于1978年10月成为中科院上海技术物理研究所第一届研究生,师从汤定元先生学习和研究窄禁带半导体红外光电子物理。这之后在学术的殿堂里,他如鱼得水,科学研究一干就是一辈子……


从无数优秀的前辈学者身上我们看到成功某种意义上来说就是一直坚持在自己喜欢的领域努力钻研,只要我们具备“铁杵磨成针”的信念,终有一天会在自己的领域发光发热!

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作者:墨玉

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