中国粉体网讯 3月11日，据官微消息，近日南京百识电子科技有限公司（以下简称“百识电子”）已完成了A+轮融资，将加速耐高压、大尺寸第三代半导体外延布局。
据了解，百识电子目前可提供6英寸及8英寸的SiC/GaN外延片，其3300V碳化硅外延片已实现高良率高质量生产，产品厚度均匀性1.18%，浓度均匀性1.32%，并稳定出货全球轨交头部客户；正在攻克超高耐压（6500V及以上）外延技术，缺陷控制已达国际先进水平。
2022年1月，百识电子的第三代半导体外延项目签约落户江苏南京，项目总投资10亿元，分二期建设，一期项目产能15万片，主要生产碳化硅及氮化镓相关外延片。
百识电子董事长李屏表示，目前南京厂量产顺利，二期产线也在积极落地中。
百识电子成立于2019年，由多名拥有数十年第三代半导体外延经验的资深专家联合创办，核心团队具备外延工艺开发、良率保障、设备改良等全栈能力。公司首条产线位于南京市浦口区，于2021年投产，当前年产能达5万片，客户多为全球巨头及国内龙头。公司计划近期在长三角落地二期产线，产能规划28万片/年，打造全国最领先的车规级三代半外延片制造工厂。
（中国粉体网编辑整理/空青）
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