中国粉体网讯 11月1日，中电化合物宣布完成客户首批次8英寸SiC外延片产品的交付。
自2019年11月1日公司成立，中电化合物历时四年，不断实现从0到1的突破，自主研发、生产的6英寸碳化硅晶锭、衬底片和外延片早已实现稳定量产。今年在8英寸碳化硅产品的研发和生产上也获得了重大进展。
碳化硅外延的成品为外延片，即在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。为了满足宽禁带半导体器件在不同应用领域对电阻等参数的特定要求，其制备需在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，因此外延质量的好坏将会影响碳化硅器件的性能。
据中电化合物消息称，8英寸相比6英寸面积增加78%，可较大幅度降低碳化硅器件成本，为进一步推进碳化硅材料的降本增效提供有力支持。技术指标上，8英寸SiC外延片厚度均匀性可实现≤3%、掺杂浓度均匀性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm2。8英寸外延产品的顺利交付，标志着中电化合物的外延产品迈上一个新的台阶，可为行业提供更为领先的技术支持，推动碳化硅行业更加快速发展。
碳化硅衬底和外延片作为碳化硅产品成本和技术的重要组成部分，近年来，随着碳化硅市场规模的快速发展，确保长期稳定的碳化硅衬底和外延片供应也是行业重要的发展趋势。在今年6月19日，中电化合物宣布与韩国Power Master公司签署了关于SiC的战略合作协议。根据协议，前者将向后者供应包括8英寸SiC材料在内的半导体产品。
中电化合物成立于2019年11月1日，由中国电子信息产业集团有限公司旗下华大半导体有限公司主导投资的一家致力于开发、生产宽禁带半导体材料的高科技企业。公司主要聚焦在大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化镓外延材料的研究、开发、生产和销售，产品可广泛用于电动汽车、新能源、柔性电网、工业装备、家用消费电子设备等众多领域。
来源：中电化合物、第三代半导体产业
（中国粉体网编辑整理/空青）
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