中国粉体网讯 近年来，以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁带宽度，10倍于硅材料的临界击穿电场强度，3倍于硅材料的热导率。因此碳化硅功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合，且有助于电力电子系统的效率和功率密度的提升，凭借其卓越性能而被不断应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域。
碳化硅市场的竞争已席卷全球，而中国庞大的市场是兵家必争之地。近几年，随着光伏、新能源汽车的发展，中国在整个新能源产业中占据着举足轻重的地位，而国产碳化硅也逐渐走进国际客户的视野。
中电化合物&Power Master
2023年6月15日，中电化合物与韩国Power Master公司签署长期供应SiC材料的协议，包括8英寸。中电化合物董事潘尧波表示，2023年8月份第一批8英寸碳化硅外延片将会向客户交货。
中电化合物目前碳化硅年产能2万片，公司预计未来3年碳化硅年产能将达到8万片。
三安光电&STMicroelectronics
2023年6月7日，三安光电公告宣布，公司全资子公司湖南三安与STMicroelectronics拟在重庆共同设立一家专门从事碳化硅外延、芯片生产的合资代工公司。合资公司主要从事碳化硅外延、芯片生产，项目在取得各项手续批复后开始建设，预计于2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产，规划达产后生产8英寸碳化硅晶圆10000片/周。
同时，三安光电拟在重庆设立8英寸碳化硅衬底工厂，以满足合资工厂的衬底需求，并与其签订长期供应协议。达产后，规划生产8英寸碳化硅衬底48万片/年。
2023年9月6-8日，在SEMICON Taiwan 2023上，三安光电携碳化硅全产业链产品亮相，除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外，还首发了8英寸SiC衬底。
三安光电8英寸碳化硅衬底（来源：三安光电）
天科合达&Infineon
2023年5月3日，Infineon宣布与中国碳化硅供应商天科合达签订了一份长期协议，天科合达将为Infineon供应用于制造碳化硅半导体产品的高质量并且有竞争力的8英寸米碳化硅晶圆和晶锭，其供应量预计将占到Infineon长期需求量的两位数份额。根据该协议，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料的供应，未来天科合达也将提供8英寸直径碳化硅材料。
天科合达8英寸碳化硅衬底（来源：天科合达）
天科合达2022年11月发布了8英寸导电型SiC衬底，目前已实现小批量供货。计划到2024年底，形成中批量供货，并在2025年Q3形成稳定的批量供货。
天岳先进&Infineon
2023年5月3日，Infineon宣布与天岳先进签订一项新的晶圆和晶锭供应协议。根据该协议，天岳先进将为德国半导体制造商Infineon供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅晶圆和晶锭，其供应量预计将占到Infineon长期需求量的两位数份额。Infineon还表示未来天岳先进也会助力公司往8英寸直径碳化硅晶圆的过渡。
天岳先进自2020年便启动了8英寸SiC衬底的研发，并在ICSCRM 2022上宣布成功研发了8英寸SiC衬底。该公司通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸SiC晶体，属于业内首创。目前天岳先进8英寸SiC衬底上已经具备量产能力，已实现了小批量销售。
在2023年9月19日，第十二届中国知识产权年会上，天岳先进董事长宗艳民作为开幕式主旨演讲嘉宾参加本次大会。宗艳民表示，未来，中国制造的碳化硅半导体材料，将继续走出国门，影响世界，成为“中国制造”在国际市场的一张亮丽名片。
天岳先进&Bosch
2023年4月27日，天岳先进发布2022年年度报告，年报披露，2022年公司继续秉持“先进品质持续”的经营理念，推动碳化硅材料应用与全球汽车电子知名企业博世集团签署长期协议，公司加入博世集团的碳化硅衬底片供应商行列，以支持下游车企对高功率设备不断增长的需求。
（中国粉体网编辑整理/长安）
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